Русский | English   поискrss RSS-лента

Главная  → Документы и публикации  → Материалы конференций  → Материалы Международной конференции Sorucom-2017  → 55 лет инновационному Центру микроэлектроники

55 лет инновационному Центру микроэлектроники

Предпосылки

К концу 1950-х годов технология сборки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) из дискретных элементов исчерпала свои возможности. Мир пришёл к острейшему кризису РЭА, требовались радикальные меры.

К этому времени в США и СССР уже созрели предпосылки для создания полупроводниковых и гибридных интегральных схем (ИС и ГИС) – были промышленно освоены интегральные технологии производства как полупроводниковых приборов (множество транзисторов или диодов на одной кремниевой или германиевой пластине, затем разделяемые), так и толстоплёночных и тонкоплёночных керамических печатных плат. Мир был обречён на изобретение идеи многоэлементных изделий – ИС. Идей было немало, но развитие, каждый по-своему, получили только три проекта: Джека Килби из Texas Instruments (TI), Роберта Нойса из Fairchild (оба из США) и Юрия Валентиновича Осокина из КБ Рижского завода полупроводниковых приборов (КБ РЗПП, СССР).

Первые полупроводниковые интегральные схемы

Американцы создали экспериментальные образцы интегральных схем:

Дж. Килби – макет ИС генератора (1958 г.), а затем триггер на меза-транзисторах (1961 г.) на основе бесперспективной "волосатой" технологии,

Р. Нойс – триггер по специально созданной планарной технологии (1961 г.).

Ю. Осокин создал универсальный логический элемент "2ИЛИ-НЕ" на основе промышленной технологии транзисторов, который сразу же пошёл в серийное производство.

На рис. 1 изображены этапы создания и особенности конструкции ИС ДЖ. Килби, Р. Нойса и Ю. Осокина [1].

Первые в мире интегральные схемы

Рис. 1. Первые в мире интегральные схемы

В 1961 г. фирмы TI и Fairchild анонсировали создание серий ИС типа "SN-51" и "Micrologic", а с 1962 г. начали их серийное производство и поставки в интересах Минобороны США и НАСА. Осенью 1962 г. РЗПП начал поставки ИС Р12-2 в ленинградский НИИРЭ для авиационной бортовой электроники и рижскому заводу "ВЭФ" для телефонных станций (рис. 2 и 3). И продолжал выпуск до середины 1990-х годов, до развала СССР.

На основе ИС Р12-2 в 1963 г. в ленинградском НИИРЭ разработана первая в мире ГИС с двухуровневой интеграцией (модули "Квант", с 1969 г. ГИС серии 116: 1ЛБ161 – 1ЛБ168) и построен первый в мире авиационный бортовой компьютер 3-го поколения "Гном", много лет летавший на самолётах ИЛ-76 и др.

Арифметическое устройство бортового компьютера Гном на ИС Р12-2

Рис. 2. Арифметическое устройство бортового компьютера "Гном" на ИС Р12-2

Гном-А (светлый блок слева в центре) на ИЛ-76 и Телефонная централь П-439 с платой

Рис. 3. Гном-А (светлый блок слева в центре) на ИЛ-76 и Телефонная централь П-439 с платой (в разных масштабах)

Приоритеты

Приоритет авторов ИС закреплён патентами США Дж.Килби (№3138743), Р.Нойса (№2981877) и Авторским свидетельством СССР Ю.Осокина и Д.Михаловича (№ 36845).

В 2000 г. Дж.Килби за изобретение ИС стал одним из лауреатов Нобелевской премии, поделив её с Ж.И. Алфёровым. Из этой троицы наиболее достойным Нобелевской премии, безусловно, был Р. Нойс – автор основной технологии, по которой микроэлектроника развивается и поныне. И менее всего на неё имел право Дж. Килби, предложивший серийно непригодную микросхему.

Но Р.Нойс не дождался мирового признания - по положению Нобелевская премия не присваивается посмертно. А работы Ю.Осокина не были известны Нобелевскому комитету, да и в нашей стране были забыты и должным образом не оценены.

Энтузиасты

Американцы сразу начали разворачивать массовое производство, образуя для этого все новые и новые фирмы (ныне всемирно известные), создавая принципиально новые материалы, оборудование. Видя очевидную перспективу, денег они не жалели и не прогадали. А у нас, в плановой экономике и с особой ролью личности в ней, организовать принципиально новые предприятия и освоить принципиально новую продукцию было не так-то просто, нужна была высочайшая поддержка. Задача почти безнадёжная. Однако всякое дело имеет успех, если за него берутся истинные энтузиасты. В микроэлектронике они у нас нашлись.

Образовалось две группы таких энтузиастов – в Госкомитете электронной технике (ГКЭТ, с 1965 г. – Минэлектронпром, МЭП) под руководством министра А.И. Шокина и в Конструкторском бюро №1 (КБ-1, позже НПО “Алмаз”) под руководством главного инженера Ф.В. Лукина.

Результаты предварительных исследований в КБ-1 были обобщены в 1960 г. в 132-страничной монографии А.Колосова “Вопросы микроэлектроники” [2] (рис. 4), которая стала учебником для многих специалистов. В том же году Лукин создаёт в КБ-1 специальную лабораторию микроэлектроники, привлекая к работе с ней НИИ и ВУЗы в качестве контрагентов: Идеи микроэлектроники начинают распространяться по стране. Так Ф.В. Лукин, сам того не подозревая, начал готовить научный задел и кадры для зеленоградского Центра микроэлектроники (ЦМ), который через три года ему предстояло создавать.

Монография А.А. Колосова

Рис. 4. Монография А.А. Колосова

В это же время Шокин с группой специалистов из НИИ-35 и аппарата ГКЭТ уже пришёл к выводу о том, что необходимо создавать принципиально новую подотрасль – микроэлектронику. Именно подотрасль, то есть систему НИИ, КБ, опытных и серийных заводов, распределённых по всей стране и решающих все специальные проблемы по созданию и тиражированию изделий микроэлектроники. И к необходимости создания инновационного Центра микроэлектроники.

До сих пор живы легенды об огромной роли на этом этапе таинственных Ф.Г. Староса и И.В. Берга, представляющие их светилами американской электроники, эмигрировавшими в СССР. Их называли "отцами советской микроэлектроники". Всё прояснилось с выходом в 2005 г. в США книги С. Юсдина [3]. Выяснилось, что они американцы А. Сарант и Дж. Барр, коммунисты, участники группы Ю. Розенберга, работавшей на советскую разведку, по раскрытии группы в 1950 г. бежавшие в СССР. В США они бакалавры в электротехнике, в профессии выполняли "низкоуровневую техническую работу" [3], и ту бросили: Сарант в 1946 г. и Барр в 1947 г., т.е. до изобретения транзистора. О транзисторах и ИС они узнали уже в СССР.

К 1962 г. Ф.Г. Старос возглавлял в Ленинграде СКБ-2, уже имевшее опыт разработки ЭВМ и в тонкоплёночной гибридной технологии. Поэтому А. Шокин подключил Староса к работе по созданию микроэлектроники. Но, как утверждает С. Юсдин, Старос мечтал в результате этой работы создать и возглавить гигантскую фирму, "смоделированную с America's Bell Laboratories, но в сто раз большую, превосходящую все существующее или создаваемое на Западе" [3]. Но Шокин решал другую задачу – создание научно-производственной индустрии по обеспечении электроники страны передовой элементной базой. И это противоречие ещё не сказывалось на деле.

Постановление

Масштабные работы выполнялись тогда на основании постановлений ЦК КПСС и Совмина СССР, а для этого требовалось согласие первого секретаря ЦК КПСС и председателя Совмина Н.С.Хрущёва. Проект постановления был результатом напряжённой работы команды единомышленников из аппарата ГКЭТ, ВПК, ЦК КПСС, специалистов НИИ-35, СКБ-2 и других предприятий ГКЭТ. Главной базой для подготовки постановления и всех сопутствующих документов, плакатов и экспонатов стал НИИ-35. А завершающий акт этой компании состоялся 4 мая 1962 г. в Ленинграде в СКБ-2 Староса, где Хрущёву были показаны экспериментальные образцы микроприёмника, "настольной" ЭВМ "УМ-1НХ" и бортовой ЭВМ "УМ-2", выполненные на основе технологий микроминиатюризации. Их размеры радикально отличались от известных тогда Хрущёву ламповых приборов, что произвело на него большое впечатление.

Там же Хрущёву был доложен и в целом одобрен проект постановления о создании ЦМ. 8 августа 1962 года Постановление ЦК КПСС и СМ СССР было подписано. В этом, 2017 г. исполняется 55 лет отечественной микроэлектронике.

Как обычно в подобных случаях, это было концептуальное постановление, первое в череде за ним последовавших.

Были определены самые общие положения концепции построения ЦМ, в том числе:

Создание ЦМ было не обособленной акцией, а частью масштабной программы построения новой подотрасли — микроэлектроники. В Москве, Ленинграде, Киеве, Минске, Воронеже, Риге, Вильнюсе, Новосибирске, Баку и других местах начиналось создание НИИ с опытными заводами для разработки и серийных заводов с КБ для массового производства ИС, специальных материалов и специализированного технологического и контрольно-измерительного оборудования. ЦМ был вершиной огромного айсберга.

Научный центр

Сразу после выхода постановления команда А. Шокина приступила к созданию ЦМ (позже – Научный центр, НЦ). В условиях закрытой в Москве прописки постановление давало ЦМ право принимать на работу специалистов из любой точки СССР. Строительный задел в Спутнике позволял сразу выделять жилье принимаемым сотрудникам, что делало работу в ЦМ привлекательной и позволяло отбирать наиболее профессиональные кадры.

Началось образование НИИ с опытными заводами: 1962 г. – НИИ Микроприборов (НИИМП) с заводом “Компонент” и НИИ Точного машиностроения (НИИТМ) с “Элионом”; 1963 г. – НИИ Точной технологии (НИИТТ) с “Ангстремом” и НИИ Материаловедения (НИИМВ) с “Элмой”; 1964 г. – НИИ Молекулярной электроники (НИИМЭ) с “Микроном” и НИИ Физических проблем (НИИФП); 1965 г. – Московский институт электронной техники (МИЭТ) с опытным заводом “Протон” (1972 г.); 1968 г. – Центральное бюро по применению интегральных микросхем (ЦБПИМС); 1969 г. – Специализированный вычислительный центр (СВЦ) с заводом “Логика” (1975 г.).

К началу 1971 г. в НЦ работало 12,8 тыс. человек. В 1976 г. на его базе было создано НПО “Научный центр” – 39 предприятий в разных городах страны, их персонал в общей сложности насчитывал около 80 тыс. человек.

29 января 1963 г. д.т.н., профессор, крупный учёный и разработчик сложных систем, трижды лауреат государственных премий, талантливый организатор Ф.В. Лукин был назначен заместителем Председателя ГКЭТ, а 8 февраля – директором ЦМ. Его заместителем по науке был назначен Ф. Старос, остававшийся директором ленинградского СКБ-2. Но Ф. Старос надеялся стать директором. Когда же был назначен Ф. Лукин: "Старос был ошеломлен, узнав, что он должен согласиться на положение номер два, заместителя директора" [3]. Далее Старос понял, что ЦМ создаётся не таким, как он хотел, что "суперBell", о которой он мечтал, не состоится. Он потерял интерес к ЦМ и самоустранился от дел в нём. В результате в начале 1965 г. Ф. Старос был освобождён от должности зам. директора ЦМ.

Первые результаты

ЦМ сразу приступил к созданию принципиально новой продукции. Уже в мае 1963 г., на основе полученных от СКБ-2 образцов, в НИИТМ была разработана установка вакуумного напыления. Во второй половине 1963 г. в НИИМП на основе разработнной тонкопленочной технологии был создан миниатюрный радиоприемник “Микро” (рис. 5) – первое изделие потребительской микроэлектроники, первая продукция завода “Ангстрем”, с 1964 г. продавался в СССР и во Франции.

Первое в СССР изделие микроэлектроники

Рис. 5. Первое в СССР изделие микроэлектроники

Вскоре появились первые зеленоградские микросхемы (рис. 6).

Первые зеленоградские микросхемы: толстопленочные ГИС Тропа, тонкопленочные ГИС Посол и полупроводниковые ИС Иртыш

Рис. 6. Первые зеленоградские микросхемы: толстопленочные ГИС "Тропа", тонкопленочные ГИС "Посол" и полупроводниковые ИС "Иртыш"

В 1964 году Ангстрем выпустил разработанный НИИТТ толстопленочные ГИС “Тропа” (А. Катман). Директор НИИТТ В. Сергеев вспоминает: “Никаких технических материалов и литературы по этому направлению не было…" [4]. Всё придумывали сами. Не зря в мире широко распространилось понятие “know how” (знаю, как), а не “know what” (знаю, что). Главная проблема в микроэлектронике именно в “как”, и её нам пришлось решать самим.

В 1965 г. “Микрон” начал выпуск разработанной в НИИМЭ полупроводниковой ИС “Иртыш” (Е. Дробышев и А. Голубев).

В 1966 г. “Элма” уже выпускает 15 видов, разработанных в НИИМВ специальных материалов, а “Элион” – 20 типов созданного в НИИТМ технологического и контрольно-измерительного оборудования.

В 1969 г. “Ангстрем” и “Микрон” производят уже более 200 типов ИС, а к 1975 г. в НЦ были разработаны 1020 типов ИС. Все это передавалось на серийные заводы Минэлектронпрома. И это было только начало…

В 1970 г. правительственная комиссия провела комплексную проверку работы НЦ, включающего на тот момент 9 научно-исследовательских организаций, 5 опытных заводов, ВУЗ и др. По состоянию на 1 июня 1970 г. в институтах и КБ Центра работало 12 924 человека, в т.ч. 9 докторов наук и 214 кандидатов. На заводах работало 16 154 человека. Было построено 240 тыс. м2 промышленных площадей.

В 1970 г. правительственная комиссия проверила работу НЦ и оценила её положительно. Была отмечена его огромная роль в развитии отечественной микроэлектроники. Были отмечены и недостатки. За достигнутые успехи в деле создания отечественной микроэлектроники НЦ был награждён орденом Ленина, а его директор Ф.В.Лукин – Орденом Октябрьской революции. Это была его последняя награда. 18 июля 1971 г. Фёдор Викторович Лукин скончался. Его преемником вторично стал Анатолий Васильевич Пивоваров, главный инженер КБ-1 - 1960 г. он сменил Ф.Лукина на этой должности в КБ-1.

Расцвет

Следует учитывать особые условия создания и развития советской микроэлектроники. Образованный НАТО международный комитет КОКОМ блокировал поставки в СССР всего нового, всего стратегически значащего: электроники, оборудования, технологий, материалов и т.п. В нашей микроэлектронике все приходилось делать самим. Конечно, спецслужбам удавалось добывать кое-что из запрещённого. Но далеко не всё и в мизерных количествах. Разрабатывать же все это и тиражировать в нужных объёмах приходилось самим. Изоляция (точнее саботаж) была и внутри страны. Профильные ведомства (Минрадиопром, Минприбор, Минмаш, Минстанкопром, Минхимпром и прочие), требуя от Минэлектронпрома продукцию микроэлектроники, сами всячески уклонялись от своего вклада — от поставок профильных им, но соответствующих требованиям микроэлектроники приборов, оборудования и материалов. МЭПу все самое сложное, точное и чистое приходилось делать самому.

В таких условиях создание инновационного центра микроэлектроники позволяло максимально сконцентрировать имеющиеся ресурсы, было единственно возможным способом для успешного развития микроэлектроники в СССР. И это дало результаты.

Благодаря такой концентрации ресурсов результаты Минэлектронпрома, и в первую очередь его НЦ, многие годы неплохо смотрелись на уровне мировой микроэлектроники. Уже первое изделие — радиоприемник “Микро” – не имело равных в мире. Первые гибридные ИС серий Тропа, Трапеция, Терек, Посол, Тактика соответствовали мировому уровню. В 1972 г. в НИИТТ были разработаны не имеющие аналогов многослойные ИС “Талисман"…

В полупроводниковых ИС мы сначала немного отставали, но вскоре догнали мировых лидеров. Так ДОЗУ 64 Кбит Ангстрем и Intel выпустили на рынок практически одновременно, в 1979 году. Аналогичная ситуация была и в НИИМЭ с заводом “Микрон”. В начале 1970-х годов специалисты ф. Motorola, исследовав ИС серии 500, констатировали: «Ваши схемы действительно имеют более высокое быстродействие по сравнению с МС10000, у Вас хорошая технология» [5].

Кульминацией этого соревнования стал 1979 год, когда в НИИТТ была разработана однокристальная 16-разрядная ЭВМ К1801ВЕ1 (рис. 7). По совокупности параметров она превосходила зарубежные образцы.

Однокристальная ЭВМ К1801ВЕ1

Рис. 7. Однокристальная ЭВМ К1801ВЕ1

Тогда же на её основе был сделан первый в стране экспериментальный персональный компьютер "Электроника НЦ-80-10" (рис. 8). Позже он трансформировался в самый массовый в СССР домашний компьютер "Электроника БК-0010".

Персональные ЭВМ НЦ-80-10 и БК-0010 с телевизором и магнитофоном в качестве периферии
Персональные ЭВМ НЦ-80-10 и БК-0010 с телевизором и магнитофоном в качестве периферии

Рис. 8. Персональные ЭВМ НЦ-80-10 и БК-0010 с телевизором и магнитофоном в качестве периферии

В целом в период с 1964 по 1980 гг. отставание разработок в НЦ по различным типам ИС по сравнению с зарубежным уровнем колебалось в пределах от нуля до трёх лет. Иногда вырывались вперёд. Но примерно такая же динамика была и у ведущих зарубежных фирм — они то немного отставали от конкурентов, то опережали их. Таким образом, можно утверждать, что разработки зеленоградского НЦ в те годы в целом соответствовали мировому уровню. Его выходы на международные выставки вызывали, как правило, удивление зарубежных специалистов и ужесточение ограничений КОКОМ.

В 2009 г. лауреат Нобелевской премии, академик Ж.И. Алфёров дал следующую оценку уровню нашей электроники: "В 1970–1980-е годы существовало только три страны с развитой электроникой: США, Япония и СССР. По многим направлениям советская электроника занимала передовые позиции" [6].

Не руби сук, на котором сидишь

В 2–3 раза раскрутив маховик создания микроэлектроники, Минэлектронпром сразу же оказался в кризисной ситуации. На него обрушился огромный шквал заявок на создание и поставку широчайшей номенклатуры ИС. Но аппаратуростроители – потребители ИС, заказывали не ИС с такой-то функцией или схемой и такими-то параметрами, а называли зарубежный аналог и требовали в точности его воспроизвести. И заказывали каждый по своему вкусу. Например, в 1971 г., при возможностях Минэлектронпрома выполнить не более 150 разработок ИС, от потребителей поступило заказов на воспроизводство более 3000 ИС разных зарубежных фирм, часто функционально и параметрически однотипных, но конструктивно и технологически различных. Это был прямой путь в никуда.

МЭП решил проблему на основе унификации и организации

Были сформированы функционально-параметрические ряды ИС разных классов, объединённые в "Перечень развиваемых серий ИС". Далее заявки на разработки новых ИС принимались только в развитие функционально-параметрических рядов, с ежегодным перевыпуском "Перечня". Для унификации заказов на разработки ИС был введён механизм "Заявочной компании". Каждое министерство-заказчик собирало заявки своих предприятий на разработки новых ИС на предстоящий год и заменяла одной заявкой все заявки на разработки однотипных ИС по аналогам разных зарубежных фирм. Затем такая же работа проводилась с заявками министерств в Научном центре. Итог подводился в конце года на заседании в НЦ с участием всех заинтересованных сторон. Результаты автоматически включались в планы разработок МЭП на следующий год. Это позволяло оптимизировать номенклатуру ИС, удовлетворив нужды всех потребителей. В 1975 г. Минэлектронпром дополнительно ввёл пятилетнее планирование разработок на основе комплексно-целевых отраслевых программ (КЦП), а позже и аппаратурно-ориентированных межотраслевых программ (АОП), согласованных с КЦП. Все это позволило ограничить номенклатуру ИС несколькими сотнями типов, которые обеспечивали решение тех же задач, для которых зарубежная промышленность использовала несколько десятков тысяч типов микросхем. Однако практика воспроизводства зарубежных аналогов по требованиям заказчиков сохранилась. Я более 10 лет занимался в НЦ заявочной кампанией по разделу "Микропроцессоры". И за эти годы не было ни одной заявки на разработку оригинальной БИС, все заявки были направлены только на воспроизводство зарубежных микропроцессоров. То же было у моих коллег по другим разделам ("Логика", "Память", "ЦАП-АЦП" и др.).

А теперь в адрес Минэлектронпрома часто раздаются упрёки в том, что он воспроизводил аналоги. Не его это инициатива и не его вина. Конечно, и в МЭП были сторонники воспроизводства, и чем дальше, тем больше, и, в конце концов, они стали преобладать. Но это - следствие позиции заказчиков. Своими заказами воспроизводства аналогов они сами закладывали неизбежное многолетнее отставание, как микроэлектроники, так и своей продукции. Но то была их воля. В 1978 г. Минэлектронпром в форме отраслевого стандарта ОСТ 11 348.901-78 [7] (рис. 9) разработал процедуру и технологию совместной разработки ИС, затем переоформленную в виде государственного стандарта, позволяющую разработчику аппаратуры реализовать свои оригинальные схемотехнические и архитектурные решения в интегральном исполнении, т.е. сделать собственные оригинальные ИС, реализовать их идеи, их know-how. По существу это предложение разрывало традиционный тогда непрерывный цикл создания ИС одним предприятием. Оно предвосхитило тот порядок, который через два десятка лет получил распространение во всем мире – дезинтеграцию процесса создания ИС на этапы "Front-End" (схемотехническое проектирование) и "Back-End" (топологическое проектирование). Но отечественные аппаратуростроители оказались не готовыми к участию в создании ИС, они так и не отказались от практики заказа воспроизводства зарубежных аналогов. По прогрессивной технологии было создано только три серии ИС. Это серия К583 для некоторых моделей компьютеров семейства ЕС ЭВМ ("Front-End" – межведомственная рабочая группа, "Back-End" – минское ПО "Интеграл"). Это ИС серий К587 и К1802, разработанные предприятиями Зеленограда: СВЦ, НИИТТ и НИИМЭ. И частично серия К588 (СВЦ и Интеграл, но специалисты Интеграла участвовали и в схемотехническом проектировании ИС). Причём только в создании серии 583 приняли участие заказчики из министерств-потребителей.

Лист утверждения ОСТ 11 348.901-78

Рис. 10. Лист утверждения ОСТ 11 348.901-78

Создание оригинальных микропроцессоров практиковалось только в зеленоградском НИИТТ (серии К587, К1801, К1806, К1836, Л1839 и др.) и в ленинградском СКТБ "Светлана" (серии К536, К1809, Л1875 и др.).

И именно они соответствовали мировому уровню или превосходили его.

Закат

Однако по объёмам производства интегральных схем Минэлектронпром в целом значительно отставал и от зарубежного уровня, и от потребностей страны — средств для развития производственных мощностей серийных заводов (а они в микроэлектронике очень дороги) без поддержки государства не хватало. В результате резко возросла нагрузка на зеленоградские опытные заводы - возможности отработки на них новых материалов, процессов, технологических маршрутов, оборудования и изделий оказались резко ограничены. Требоалось радикальное участие государства, аналогичное предпринятому Н.Хрущёвым в 1962 г.

В начале 1972 г. в НЦ был подготовлен соответствующий проект постановления ЦК КПСС и СМ СССР. В нём "были намечены рубежи по созданию и выпуску новых поколений СБИС, материалов, оборудования, САПР, контрольно-измерительной аппаратуры в Минэлектронпроме. Была обоснована необходимость привлечения министерств, отвечающих за получение различных материалов (Минхимпром, Минцветмет, Минчермет), создание оптико-механического оборудования (Миноборонпром), контрольно-измерительного оборудования и мощных перспективных САПР (Минрадиопром, Минпромсвязь, Минприборостроения). Предполагалось построить в Зеленограде в 1979-1983 г.г. ряд НИИ, опытных заводов, реконструировать и переоснастить действующие предприятия Научного Центра, и на территории Российской Федерации построить около 20 новых производств СБИС, привязанных к развитым научно-культурным регионам, обеспеченным квалифицированными кадрами, имеющим хорошую высшую школу" [8].

Проект постановления был согласован со всеми участниками работ и направлен в ЦК КПСС и СМ СССР. Но принят не был. Предстояла Олимпиада-80 в Москве, денег хватало только на нёе - для властей тех времён популистский сиюминутный престиж оказался важнее экономики и обороноспособности страны.

В результате примерно с 1980 года началось прогрессирующее отставание отечественной микроэлектроники.

Ещё более мощный удар по ней нанесли реформы в стране в 1990–2000-е годы.

С большими потерями российская микроэлектроника все же выстояла и в настоящее время постепенно восстанавливается. В России действует множество и старых, и вновь созданных дизайн-центров, выполняющих различные проекты для отечественных и зарубежных микроэлектронных фирм. Производство изделий по этим проектам производится и на отечественных и на зарубежных фабриках, в т.ч. с современными топологическими нормами. Но это тема другой статьи.

Литература

  1. Малашевич Б.М. 50 лет отечественной микроэлектронике. Краткие основы и история развития //Очерки истории российской электроники, вып. 5. Техносфера, М, 2013, 800 с.
  2. Колосов А.А. Вопросы молекулярной электроники. ОНТИ КБ-1, М, 1960, 132 с.
  3. Usdin S. T. Engineering communism: how two Americans spied for Stalin and founded the Soviet Silicon Valley // Yale University Press New Haven & London/ 2005. 352 с.
  4. Сергеев В.С. Страницы жизни// изд. ОАО "Ангстрем", 1998, 44 с.
  5. Луканов Н. М. Некоторые малоизвестные моменты из истории отдела 22 НИИ Молекулярной электроники // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. Вып. 1 (152). М., 1998, с. 49–57.
  6. Алфёров Ж.И. А.И. Шокин и отечественная электроника. В сб. "Очерки истории российской электроники. Вып. 2. Электронная промышленность СССР 1961 – 1985. К 100-летию А.И. Шокина" (2009), с. 9–11.
  7. Васенков А.А., Терехов Ю.В., Шахнов В.А., Малашевич Б.М. (руководитель разработки) и др. ОСТ 11 348.901-78 "МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ВЫСОКОЙ СЛОЖНОСТИ. Порядок проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ". М, ГР № 8090353 от 14.09.78. – М НПО НЦ, 1978, 37 стр.
  8. Васенков А. А., Дьяков Ю. Н., Ефимов И. Е.и др. Зеленоград — город микроэлектроники // Зеленоград в воспоминаниях. М. Ладомир. 1998, с. 37–74.

Материалы международной конференции Sorucom 2017
Помещена в музей с разрешения автора 29 Сентября 2017

Проект Эдуарда Пройдакова
© Совет Виртуального компьютерного музея, 1997 — 2017