Русский | English   поискrss RSS-лента

Главная  → История отечественной вычислительной техники  → Объединению “Научный центр” — 35 лет

Объединению “Научный центр” — 35 лет

(Глава из готовящейся книги “Зеленоград в воспоминаниях”)

Городу Зеленограду 40 лет, а Научному центру микроэлектроники — 35.

Сейчас нет области человеческой деятельности, где бы не использовались изделия микроэлектроники. К этому уже привыкли. Более того, требуют от нее еще больших чудес. И они будут!

В 1997 г. ЭВМ выиграла матч с чемпионом мира по шахматам — Каспаровым. Он обещал выиграть очередной сеанс. Напрасно! Микроэлектроника не позволит взять реванш. Ведь в ее “мозг” будет в дальнейшем вложен весь предыдущий и настоящий опыт всех лучших шахматистов мира. И “мыслить” она будет в миллиарды раз быстрее Каспарова и всех других шахматистов вместе взятых.

А впереди еще нано- и молекулярная электроника! На очереди “искусственный интеллект”, а ЭВМ-шахматист — только небольшая его часть. То-то еще будет!

А что было 35 лет назад? Как говорится, это было давно, это было недавно. К этому времени постоянный конфликт между возрастающими тактико-техническими требованиями к радиоэлектронным системам различного назначения (особенно оборонной области) и ее комплектующим изделиям стал особенно заметен. Различные способы миниатюризации элементной базы при существующих тогда технологических возможностях уже себя исчерпали. Даже появившиеся планарные транзисторы не решили проблем. Но они дали мощный толчок к появлению нового технологического направления: формированию множества планарных элементов на одном, небольшом по размеру, полупроводниковом кремниевом кристалле. Появились первые интегральные полупроводниковые микросхемы (гибридные появились немного раньше). Об этом взахлеб читалось в иностранной литературе (в основном американской). И вот тогда, с отставанием на 2 года, в 1962 г. появилось постановление ЦК КПСС и СМ СССР об организации Центра микроэлектроники — “Научного центра” (НЦ) и комплекса НИИ и КБ в союзных республиках.

Основателем НЦ, безусловно, является А. И. Шокин — талантливый инженер и организатор больших творческих коллективов. Коллектив под его руководством сформировал основные принципы организации НЦ, заложил их в проект Постановления ЦК КПСС и СМ СССР, обеспечил выход в свет этого Постановления, а также его реализацию и непрерывное развитие НЦ. В идее организации Научного Центра определенную роль сыграли Ф. Г. Старос и И. В. Берг.

В Постановлении были заложены основополагающие идеи:

Управление наукой, коллективами исследователей, инженеров, технологов, передающих свои результаты в производство с целью получения конкурентоспособных технических результатов и прибыли всегда представляет собой большую сложность, требует подвижности в организационной структуре, которая должна быстро реагировать на требования общества и времени. Так было и с организацией Научного Центра. В решении была предложена структура достаточности научно-технологического обеспечения — создание в одном месте ряда НИИ с опытными производствами (где необходимо), которые работали один на другого, создавая последовательную цепочку для получения в стране конкурентоспособной продукции -интегральных микросхем и аппаратуры на их основе, соответствующей мировому уровню:

Следует отметить, что идея комплексного решения научно-технических задач большого государственного значения и развития социальной структуры была не нова. Так решались вопросы при разработке атомного оружия, ракетных систем. И это хорошо было известно А. И. Шокину, как участнику таких работ. Он блестяще использовал возможность реализации этой идеи на одной территории. Далее, как говорится, дело техники.

Определились главные задачи НЦ как головной организации в стране по микроэлектронике:

Расположение комплекса НИИ и заводов на одной территории не означает, что проблемы по координации работ между ними исчезают. Увы! Структуры НЦ непрерывно видоизменялись, менялись тематические направления, их соотношения.

НЦ непрерывно наращивал свои научно-технические и производственные возможности. Ежегодный прирост выпускаемой продукции составлял до 25%. Он был одним из самых высоких по промышленности страны.

Но быстро наступило время, когда заводы НЦ перестали справляться с выполнением все возрастающих потребностей аппаратуростроительной промышленности, и особенно оборонной, практически превратились в серийные. А по замыслу этим заводам изначально предназначалась роль опытных. Аппарат ЦК КПСС и СМ СССР жестко требовал обеспечения потребности оборонной промышленности в микросхемах. Как известно, их в меньшей степени интересовало состояние заданных научно-исследовательских работ. А как же догнать и перегнать Америку?

Первый директор НИИМЭ д. т. н. Валиев, один из создателей отечественной микроэлектроники, мог бы многое рассказать о том, как ему приходилось “крутиться”, чтобы удовлетворить исключающим друг друга требованиям. В НИИМЭ разрабатывались новые отечественные перспективные технологии производства полупроводниковых (твердотельных) ИС, но “прокатывать” их на своем опытном заводе было очень мало возможностей.

Тем же самым мог бы поделиться первый директор НИИТТ  В. С. Сергеев. Кстати, его стараниями институт, первоначально предназначенный для разработки перспективных технологических процессов в интересах производства ИС, превратился в институт по разработке гибридных ИС. Это было правильно. Нельзя отрывать разработку схемотехники ИС и технологии их производства.

Создавшееся положение, когда опытные заводы НЦ в основном оказались загруженными серийным производством ИС, начало пагубным образом сказываться на дальнейших перспективах развития микроэлектроники в целом. Ведь за перспективу нес ответственность НЦ.

Как было сказано выше, с целью обеспечения потребностей страны в ИС правительственными постановлениями были приняты решения о строительстве ряда КБ и заводов на Украине, в Грузии, Азербайджане, Белоруссии, Молдавии, Прибалтике и ряде районов России. Например, в городе Баку начали строить серийный завод, но дело двигалось плохо. Тогда туда командировали Ю. Н. Дьякова, и под его руководством был перепроектирован, построен, оснащен и в короткие сроки запущен завод по производству ИС. За это Ю. Н. Дьяков был удостоен звания лауреата Государственной премии Азербайджанской ССР.

С ростом сложности ИС, ростом объемов производства, идея полностью замкнутого цикла в рамках одного города начала пробуксовывать. Необходимо было расширить инфраструктуру науки и промышленности, привлекать и специализировать под задачи микроэлектроники новые предприятия. Кстати, существовала противоречивая проблема о распределении роли и места в разработке технологических процессов между НИИТМ с одной стороны, и НИИМЭ и НИИТТ с другой. Например, созданный одним из первых НИИТМ и завод “Элион” не могли разрабатывать всю гамму технологического оборудования (несколько сотен единиц), требования к которому очень быстро возрастали. Пришлось подключить другие организации страны (например, минское КБ), а также закупать отдельные единицы зарубежного оборудования.

Кроме того, наступившая “мода” по разработке и производству продукции народного потребления на оборонных предприятиях значительно сократила возможности завода “Элион” по производству технологического оборудования. Это отвлекало средства для развития микроэлектроники. Разработка и производство магнитофонов на заводе никак не гармонировала с его основной специализацией. Следует отметить, что в период всеобщего упадка промышленности это не помогло выжить заводу. Министр  А. И. Шокин, очевидно следуя указаниям свыше, выдвинул требование: на каждый рубль заработной платы — рубль товаров народного потребления. На заводах “Ангстрем” и “Микрон” этот процесс прошел менее болезненно. Они выпускали более профильную продукцию (калькуляторы, электронные часы и др.).

А вот НИИМП и завод “Компонент” под руководством директора Г. Я. Гуськова четко выдержал позицию по разработке радиоэлектронной аппаратуры (правда, и ему пришлось выпускать значки). Разработанная ими аппаратура превосходила соответствующие американские аналоги (выполняли задачу — догнать и перегнать). В этом заключается большая заслуга Г. Я. Гуськова и его коллектива, которые продолжали наращивать с временем свои успехи в этом направлении.

В результате, в том числе и по этой причине, оборудование, разработанное НИИТМ небольшими силами и в быстром темпе, долгое время проходило “обкатку”, затягивался период ввода его в эксплуатацию. А вот однотипное зарубежное оборудование (в основном американское), которое удавалось добыть через “третьи руки”, после включения в сеть сразу начинало функционировать в соответствии с технологическим циклом. Это была большая проблема для нас, и мы ее до конца не решили.

Учитывая комплексный характер НЦ, конечно, не обошлось без необходимости разработки и производства полупроводниковых материалов, прежде всего кремния и кремниевых пластин. НИИМВ и завод “Элма”, возглавляемые первым директором А. Ю. Малининым, решали многие проблемы практически на мировом уровне, а по арсениду галлия и фосфиду галлия даже опережали этот уровень.

Не обошлось и без серьезных коллизий, когда пришлось согласовывать ТЗ и ТУ на кремниевые подложки (в основном по требованиям дефектности к ним). Противоречия между заводом “Элма” и заводами “Микрон”, “Ангстрем” приводили иногда к парадоксальным итогам — требования были часто противоречивыми: то, что устраивало “Ангстрем”, не устраивало “Микрон”, а ведь были еще и другие потребители в стране. Приходилось находить очень трудный компромисс. Было и такое: Минский завод “Интеграл” пластины устраивали, а заводы НЦ — нет. При этом процент годных с теми же подложками на Минском заводе был иногда выше, чем на заводах НЦ (при производстве однотипных ИС). Приходилось разбираться и принимать решения.

В процессе разрешения этих противоречий продолжало улучшаться качество кремниевых пластин и приближаться к мировому уровню по основным параметрам. Это было необходимо, чтобы заводы “Микрон” и “Ангстрем” продолжали быстро наращивать степень интеграции на одном кристалле и все больше выпускали БИС и СБИС.

С целью дальнейшего усиления координации работ с промышленностью по инициативе генерального директора НЦ Ю. Н. Дьякова в конце 80-х годов был создан совместный НТС предприятия “Алмаз” и НЦ, сопредседателями которого были генеральный конструктор академик Б. В. Бункин и д. т. н. Ю. Н. Дьяков.

Решения этого НТС утверждались НТС ВПК Совета Министров (Комиссии по военно-промышленным вопросам при СМ СССР) и были обязательными для исполнения. Это позволило более эффективно решать совместные проблемы по обеспечению разработок систем вооружения.

Учитывая все возрастающую ответственность НЦ за судьбы перспективы отечественной микроэлектроники, при НЦ в 1987 г. было организовано подразделение перспективных исследований (ПЛИ) — руководитель д. т. н. С. А. Гаряинов, в задачу которого входило рассмотрение на конкурсной основе проектов в области микроэлектроники, превосходящих мировой уровень.

Был объявлен всесоюзный конкурс, создана межведомственная комиссия, состоящая из известных ученых. В результате было рассмотрено много интересных проектов. 20 проектов было принято к реализации. Итоги работы комиссии еще раз подтвердили, что в стране имеется колоссальный невостребованный научно-технический потенциал. Из принятых к реализации проектов следует отметить, например, разработанный аванпроект по созданию минифабрики для автоматизированного производства заказных и полузаказных БИС (главный конструктор Г. Х. Сатаров). Минифабрика предполагала непосредственно на предприятиях оборонных министерств разрабатывать и производить заказные БИС. Разработка этого проекта была финансирована генеральным конструктором академиком А. И. Савиным.

Работа была также одобрена НТС ВПК. К сожалению, известные всем обстоятельства не позволили довести эту работу до конца. Она и сейчас имеет большое перспективное значение и ждет лучших времен для реализации. Это же можно сказать и о других принятых конкурсных проектах.

Теперь следует вернуться к истокам — как все начиналось в начале 50-х годов.

Микроэлектронике, как известно, непосредственно предшествовала полупроводниковая электроника, развивавшаяся на принципиально новых научных основах: использовании физических процессов и явлений в твердом теле. Выявленные преимущества твердотельных изделий позволили им заменить во многих случаях электровакуумные приборы — лампы.

Использование совершенно новых для промышленности материалов, физических принципов и процессов повлекло за собой развитие новых технологических направлений, поставило новые крайне жесткие требования к чистоте и однородности материалов, к точности работы технологического и измерительного оборудования. Ни одна из отраслей техники (разве что атомная промышленность) до этого времени не предъявляла столь жестких технических требований по широкому кругу проблем, необходимых для осуществления поставленных задач и не могла служить достаточной базой для развития полупроводниковой электроники.

Появление первых полупроводниковых приборов (а затем, через 10 лет, первых интегральных схем) сначала вызвало недоверие со стороны аппаратуростроителей, которым было непросто отойти от привычных компонентов и начать создавать системы на новых принципах. Это были этапы смены поколений аппаратуры и людей, которые ее создавали.

Промышленный выпуск полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов) в СССР можно начать исчислять с 1957 г., когда было выпущено 24 млн. приборов, в том числе 2,7 млн. транзисторов, против 28 млн. транзисторов, выпущенных в США, а к 1967 году эти объемы составили соответственно 134 млн. и 900 млн. штук.

Действительно, уже к началу 60-х годов в США поняли, что сулит помещение денег в новую высокотехнологическую отрасль техники. По данным Министерства Торговли США в 1960 году разработкой и производством полупроводниковых приборов в стране занималось более 60 фирм, а в 1962 году их число увеличилось до 103. Производственные площади предприятий, выпускающие полупроводниковые приборы и первые интегральные схемы, составили около 1 млн. 200 тыс. м2, в том числе научно-исследовательские лаборатории, расположенные на территории этих предприятий — 270 тыс. м2. И это не считая лабораторий в университетах и колледжах.

В конце 1959 г. появилось первое сообщение американского инженера Килби о создании в одном кристалле кремния нескольких транзисторов и резисторов. В это время в нашей стране было принято решение о выделении из состава Государственного Комитета по радиоэлектронике (ГКРЭ), руководителем которого был талантливый организатор В. Д. Калмыков, части науки и промышленности, которая занималась электронными компонентами — полупроводниковыми приборами, резисторами, конденсаторами, разъемами, электровакуумными приборами и т. д. — Государственного Комитета по электронной технике (ГКЭТ), руководителем которого был назначен заместитель В. Д. Калмыкова — А. И. Шокин.

Шокин А. И. был талантливым инженером и организатором. Во время Великой Отечественной войны он занимался созданием различных передовых по тому времени систем вооружения и некоторое время находился в США, организуя закупку военной техники для нашей армии.

Руководство ГКЭТ, в состав которого входили опытные инженеры, руководители предприятий, понимали, что необходимы экстраординарные меры для развития новой отрасли, концентрация усилий на этом направлении многих людей — ученых, инженеров, рабочих, техников, руководителей. Учиться, перенимать передовой опыт в науке, организации разработок и производства за границу (в США и Европу) начиная с 1959 г. начали посылать молодых специалистов. Это были А. Ф. Трутко (впоследствии директор НИИ Полупроводниковой Электроники — НИИ “Пульсар”), Б. В. Малин (впоследствии начальник отдела по разработке серии ИС-110 в НИИ “Пульсар”), В. А. Стружинский (создатель высокочастотных транзисторов, конверсионных транзисторов и организатор развития технологии электронного луча в стране, впоследствии посмертно Лауреат Ленинской премии), И. И. Круглов (позже главный инженер НИИППС — НИИ “Сапфир”), В. П. Цветов (впоследствии начальник СКТБ “Светлана”) и ряд других молодых специалистов, внесших огромный вклад в становление молодой полупроводниковой отрасли.

Уже к середине 60-х годов практически 100% электронной аппаратуры, и в первую очередь электронное оборудование ракет и космических объектов, военной техники, вычислительной техники, промышленной электроники, радиолокации и радионавигации, измерительной техники и автоматики разрабатывалось и выпускалось с применением полупроводниковых приборов. Лишь бытовая техника отставала во времени. “Клиентами” полупроводниковой отрасли стали уже несколько тысяч НИИ, КБ и заводов СССР. Резко возрастала потребность в полупроводниковых приборах, ИС и других электронных компонентах, имеющиеся научные и производственные мощности уже не соответствовали задачам, стоящим перед ней. А. И. Шокин занимался проблемами полупроводниковой электроники, вникая в детали проблем, постоянно присутствовал на НТС, где рассматривались актуальные проблемы, ездил на предприятия, беседовал со специалистами, поощрял аналитическую и прогнозную деятельность, внимательно следил за тенденциями развития этого направления. В начале 60-х годов полупроводниковая промышленность располагала двумя НИИ, несколькими КБ и серийными заводами. Необходимо было ставить перед правительством вопрос о кардинальном развитии отрасли, и прежде всего о развитии промышленности микроэлектроники. А. И. Шокин очень активно инициировал выход подготовленного под его руководством творческим коллективом единомышленников Постановления ЦК КПСС и Совета Министров о развитии микроэлектроники.

В соответствии с постановлением ЦК КПСС и СМ СССР от 08.08.62 г. уже в 1962 году началось строительство комплекса предприятий электронной отрасли: НИИ и опытных заводов — Центра Микроэлектроники (в его состав входили 5 НИИ и 3 опытных завода: НИИ теоретических основ микроэлектроники, НИИ микросхемотехники, НИИ технологии микроэлектроники, НИИ машиностроения, НИИ специальных материалов). Позже их названия были изменены. Это постановление окончательно определило судьбу и новую градообразующую города-спутника Москвы, т. к. постановление о строительстве города было принято еще 03.03.1958 г., где было решено разместить легкую промышленность, и в 1960 г. началась застройка 1 и 2-го микрорайонов.

В середине 1962 г. на временных площадях были созданы НИИ Точного Машиностроения (директор Иванов  Е. Х.) и НИИ Микроприборов (директор Букреев  И. Н.); в мае 1963 г. в НИИТМ были созданы первые образцы вакуумного напылительного оборудования. В июне 1963 г. был организован НИИ Точной Технологии (директор — Сергеев  В. С., главный инженер Катман  А. К.), НИИ Материаловедения (директор А. Ю. Малинин), Конструкторское Бюро Высокоинтенсивных Источников Света (КБ ВИС).

Постановлением СМ СССР от 29.01.1963 г. директор НИИ-37 ГКРЭ д. т. н. Ф. В. Лукин был назначен заместителем председателя ГКЭТ, а приказом председателя ГКЭТ  А. И. Шокина от 08.02.1963 г. он был назначен директором строящегося Центра микроэлектроники. Ф. В. Лукину пришлось активно включиться в создание нового комплекса предприятий ГКЭТ, на которые была возложена громадная задача — создать научно-технические и промышленные основы микроэлектроники в СССР, организовать производство, готовить кадры. Эти проблемы еще более укрепили уверенность опытного директора, который создал несколько крупных радиоэлектронных систем, в комплексности поставленной задачи, необходимости быстро организовать еще несколько НИИ, как это и было задумано авторами Постановления от 8 августа 1962 г., и создать четкую систему управления новыми предприятиями. 28 декабря 1963 г. председатель ГКЭТ  А. И. Шокин подписал приказ об организации дирекции Центра Микроэлектроники (ДНЦ) и утвердил ее структуру.

В 1964 г. в новом городе создали еще несколько НИИ, в том числе НИИ Молекулярной Электроники (директор д. ф. м. н. Валиев К. А.), НИИ Физических Проблем (директор д. ф. м. н. Стафеев В. И.). В этом же году главным инженером НИИ Точного Машиностроения был назначен И. Г. Блинов. К концу 1964 г. был введен в строй первый завод площадью 40 тыс. м2 — “Элион” при НИИ Точного Машиностроения. Это был большой успех.

Учитывая все возрастающую роль электронных компонентов для обороны страны и народного хозяйства в начале 1965 г. ГКЭТ был преобразован в Министерство Электронной промышленности, министром назначен А. И. Шокин.

В 1965 г. на должность главного инженера Центра Микроэлектроники — дирекции Центра был назначен И. Е. Ефимов, д. т. н., профессор. Он возглавлял научно-техническую деятельность ДНЦ и предприятий центра до начала 1971 г.

В 1965 г. на предприятиях Центра Микроэлектроники уже работало несколько тыс. человек, было введено в строй 60 тыс. м2 площадей.

В 1966 г. на базе предприятий Центра Микроэлектроники было создано научно-техническое объединение, включающее 6 НИИ, 5 заводов при НИИ, вычислительный центр и Дирекцию Центра.

В Советском Союзе планирование велось по пятилеткам, и 1970 г. являлся последним годом VIII пятилетки. К этому времени разработкой и производством интегральных схем занимались уже около 20 предприятий НИИ, КБ, опытные и серийные заводы.

Очень важную роль в развитии отечественной микроэлектроники с первых ее шагов играл Воронежский завод полупроводниковых приборов — ВЗПП (директор Гарденин  Н. И., главный инженер Колесников  В. Г.). В КБ этого завода в 1964 году началась активная работа по созданию ИС. Группа молодых специалистов (Никишин В. И, Толстых Б. Л., Удовик  А. П., Петров  Л. Н., Булгаков  С. С., Завальский  Ю. П., Хорошков  Ю. И., Черников  А. И., Горлов  М. И.; многие из них стали потом крупными руководителями в электронной промышленности страны) в короткие сроки разработала образцы полупроводниковых ИС, которые к концу 1966 г. были переданы на производство. Создание на ВЗПП серии ИС, массовое производство этих ИС в Воронеже, а затем и на других заводах, внесли большой вклад в развитие отрасли и играли огромную роль в создании важнейших оборонных комплексов страны.

В 1970 г. в стране было выпущено 3,6 млн. интегральных схем 69 серий: 30 серий были гибридными (толстопленочными и тонкопленочными), 7 серий — полупроводниковые по технологии “металл-окисел-полупроводник” (МОП), 32 серии — полупроводниковые на основе p-n перехода и с диэлектрической изоляцией. НИИМЭ с Заводом “Микрон”, руководимые директором К. А. Валиевым и главным инженеров А. Р. Назарьяном, создали базовую технологию для массового производства цифровых и линейных схем, которую можно было передавать на другие предприятия для освоения. Разработчики и технологи НИИТТ и завода “Ангстрем” развернули широкомасштабную работу по созданию гибридных ИС на толстых и тонких пленках и разработали документацию, необходимую для их выпуска на других заводах. Предприятие выпускало корпусов для различных типов ИС (в том числе корпус “Схема-66” для массового производства полупроводниковых ИС). Эти работы возглавляли В. С. Сергеев и А. К. Катман, а воплощали в жизнь В. П. Демин — директор и Э. Ф. Бенуа — гл. инженер завода “Ангстрем”. Завод к этому времени выпускал 109 типономиналов гибридных ИС, институт разработал основные принципы технологии и схемотехники больших гибридных интегральных схем (БГИС) на многослойной керамической подложке. Готовилась программа работ по развитию производства БГИС. Серия К-224 толстопленочных гибридных ИС стала основой для выпуска черно-белых и цветных телевизоров и радиоприемников.

НИИМЭ, НИИ “Пульсар”, Воронежское КБ разработали базовые маршруты планарной технологии для производства ИС и планарных транзисторов, и по их техническому заданию НИИТМ (директор Савин  В. В., главный инженер И. Г. Блинов), Минское Конструкторское бюро технологического машиностроения (КБТМ) под руководством директора И. М. Глазкова, НИИ технологии организации производства (НИИТОП, г. Горький) под руководством А. Г. Салина, НИИ полупроводникового машиностроения (НИИПМ, директор Лаврентьев  К. А., гл. инженер Масленников  П. Н., г. Воронеж), НИИ Электронстандарта (г. Ленинград, директор Гаген) разработали комплект технологического оборудования “Корунд”, обеспечивающий массовый выпуск ИС и полупроводниковых приборов по планарной технологии. Оборудование было принято в качестве базового комплекта для оснащения промышленных предприятий отрасли на следующую пятилетку (1971-1975 г.). Накопленный положительный опыт эксплуатации опытных линий “Корунд” на заводе “Микрон”, Воронежском заводе полупроводниковых приборов, опытном заводе НИИ “Пульсар”, позволил приступить к разработке новых высокопроизводительных автоматизированных линий для массового промышленного выпуска полупроводниковых ИС, планарных транзисторов и диодов на пластинах повышенного диаметра (до 75 мм), что должно было привести к резкому снижению их стоимости, повышению производительности труда. Главным конструктором разработки новой линии “Корунд-С” был назначен гл. инженер НИИТМ  И. Г. Блинов, главным технологом — гл. инженер НИИМЭ  А. Г. Назарьян. Этим же приказом ответственным за создание необходимых материалов, и в первую очередь кремния повышенного диаметра, для производства ИС и оборудования для его обработки был определен НИИМВ (директор А. Ю. Малинин, гл. инженер Ю. Н. Кузнецов). Сроки были жесткие — предъявить линии для эксплуатации в начале 1971 г. Это были очень сложные задачи для всех предприятий, т. к. НИИМЭ и завод “Микрон” в 1968 г. еще работали на пластинах диаметром 25-30 мм, в 1969-70 — на пластинах диаметром 40 мм. Технологически минимальные размеры в 1968 г. были 8-10 мкм, в 1970 г. — 2-5 мкм.

Было принято, что в конце пятилетки подводились итоги работы, и руководство МЭП по рекомендации оборонного отдела ЦК КПСС (И. Д. Сербии) и руководства Военно-промышленной Комиссии при Совмине СССР (Д. Ф. Устинов) назначили комиссию по оценке деятельности предприятий Научного Центра Микроэлектроники и его Дирекции. Работа Научного Центра и предприятий была оценена положительно, отмечена его огромная роль в развитии микроэлектроники в государстве. Была признана большая роль, которую сыграл крупный ученый Ф. В. Лукин в становлении и успехах Научного Центра и создании работоспособного коллектива. Однако было указано на недостаточную координацию разработок ИС в отрасли, в ряде случаев дублирование, технологическую разобщенность предприятий, отсутствие единой технической политики в работе с заказчиками (аппаратуростроительными предприятиями), медленное внедрение НИОКР ИС в промышленное производство. Нужно было перестраивать работу комплекса предприятий микроэлектроники, придав им большие возможности для внедрения новых ИС в производство. Это привело к объединению 9 Главного управления МЭП, которому подчинялся Научный Центр Микроэлектроники, со 2 Главным управлением, которому были подчинены практически все НИИ, КБ и Заводы полупроводниковой промышленности, т. е. произошла концентрация всей микроэлектроники и полупроводниковой промышленности страны в рамках одного Главного управления МЭП. Начальником этого управления был прекрасный организатор промышленности А. А. Константинов, главным инженером молодой, но уже опытный А. А. Васенков, заместителем начальника управления прошедший большую школу промышленности и работы в ЦК КПСС А. П. Грибачев.

В октябре 1970 г. в связи с обострившейся болезнью была удовлетворена просьба Ф. В. Лукина об уходе и принято решение о назначении директором Научного Центра Микроэлектроники опытного разработчика аппаратуры, главного инженера КБ-1, к. т. н. генерал-майора А. В. Пивоварова. В начале 1971 г. главный инженер Научного Центра д. т. н., профессор Иван Ефимович Ефимов был назначен ректором Московского Института связи. Главным инженером — заместителем директора по науке Научного Центра назначен А. А. Васенков.

Задачи на пятилетие 1971-1975 г. были поставлены. Прежде всего нужно было привлечь для производства ИС дополнительные мощности, оказать помощь этим заводам в освоении новой продукции, разработать предложения по специализации предприятий по производству, помочь НИИ и КБ избавиться от дубляжа в разработках новых изделий, которые заказывали сотни НИИ, КБ, заводов — предприятий радиоаппаратуростроения. Отрасль микроэлектроники работала в условиях ограниченности финансирования и недостаточности мощностей для разработки и изготовления ИС. Эта работа по упорядочению заказываемых для разработок ИС, специализации предприятий отрасли приказом министра была поручена Дирекции Научного Центра.

В состав дирекции Научного центра входили опытные руководители. Заместителями по производству в свое время были Бечин  Г. В., ставший впоследствии директором “Ангстрема”, а затем генеральным директором объединения “Механика”; его сменил Язов  М. Г., прошедший затем большой путь: от директора завода “Элион” до председателя Зеленоградского исполкома Совета народных депутатов, а затем заместителя министра МЭП. Кадрами Научного Центра руководил опытный Л. Ф. Агапов, зам. директора по режиму был В. И. Трифонов, отлично возглавлявший свое направление работы, главными бухгалтерами работали Г. С. Тоноян, а затем В. А. Споялова. Научно-технический комплекс ДНЦ возглавляли: зам. главного инженера Барканов  Н. А. и Смолко Г. Г., руководители подразделений Кузнецова  Р. С., Гигина  Н. Д., Арапенков  А. П., Астафурова  Н. И., Козидубов  В. П., Терехов  Ю. В., Соловьев  М. М., Иванов  В. И. и др., они были высококвалифицированными специалистами, работали с огоньком, не считаясь со временем, всем было интересно.

Следует отметить, что к началу 1971 г. научно-промышленный Комплекс Научного Центра имел уже около 300 тыс. м2 научно-производственных площадей, общая численность работающих в науке и производстве микроэлектроники составляла 12,8 тыс. человек.

Во исполнение приказа министра была рассмотрена специализация 26 предприятий отрасли (НИИ, КБ, заводов). Все предприятия в той или иной степени нуждались в поддержке: обеспечению новым технологическим оборудованием, вычислительной техникой и необходимыми материалами, создании систем автоматизированного проектирования, устранении дублирования, получении возможностей по широкому обмену технологическими маршрутами и освоению передовых технологических процессов, разумной и целесообразной унификации технологии. Эта работа с активным участием всех предприятий была проведена в короткие сроки, и самую активную роль в ней сыграли все НИИ Научного Центра, которые, по существу, стали головными по своим направлениям деятельности. Результаты были обсуждены на НТС Научного Центра с участием первого заместителя министра В. Г. Колесникова, затем рассмотрены на Координационном НТС Министерства и закреплены приказами по Главным управлениям; естественно, была отмечена необходимость и неотвратимость будущих изменений и совершенствования как самих технологий, так и специализации предприятия.

Эта работа проводилась параллельно с большой аналитической работой на предприятиях и в ДНЦ, в которой рассматривались тенденции развития микроэлектроники в мире, и особенно в США, Японии, Западной Европе, которые вкладывали огромные средства в развитие микроэлектроники, понимая, что именно она (микроэлектроника) является ключом к прогрессу в научно-технической и промышленной составляющей экономического развития. Несмотря на жестокую конкурентную борьбу, между развитыми странами была широко развита продажа лицензий, патентов, имелась возможность оперативно закупать документацию на технологические процессы, новейшие технологическое контрольно-измерительное и оптико-механическое оборудование, материалы и т. д.

Отечественная полупроводниковая промышленность была полностью лишена такой возможности из-за жесткого эмбарго со стороны развитых стран, и прежде всего США, которые создали специальный международный комитет (КОКОМ), контролирующий? все научно-технические и торгово-экономические взаимоотношения с СССР. КОКОМ разработал положение и огромный свод правил, по которым СССР нельзя было продавать не только передовые технологии и изделия, принадлежащие к области любой высокой технологии и в первую очередь к микроэлектронике и вычислительной технике, но и технологическое и измерительное оборудование, материалы, прецизионное станочное оборудование и т. д. Этот свод правил занимал около 250 страниц текста. Предприятиям электронной отрасли промышленности нашей страны пришлось самостоятельно проводить все разработки ИС, технологии, оборудования, материалов, создавать новую инфраструктуру. Возможности были ограничены, обращения к смежным отраслям, специализировавшимся в разработке оптики, контрольно-измерительного оборудования, материалов и т. д., как правило, заканчивались отказом. Иногда удавалось передавать уже отработанную предприятиями МЭП технологию изделия для массового производства в другое ведомство, но это случалось не часто, да и сроки освоения новой продукции затягивались на годы. В результате — запланированное отставание.

Руководство МЭП, Научного Центра, предприятия доказывали, что проблема развития микроэлектроники — это проблема создания высокой технологии нового уровня, основа дальнейшего прогресса многих отраслей нашей страны и решать ее нужно комплексно, рассматривая как национальную задачу. Поддержки сверху было немного.

К началу 70-х годов, за неполных два десятилетия развития, микроэлектроника перешла к этапу создания больших интегральных схем — БИС, содержащих более 1000 элементов на одном кристалле. Она стала основной базой создания всех радиотехнических систем в стране. Еще в апреле 1965 г. Минрадиопром издал приказ, в котором говорилось об обязательном применении ИС начиная с 1966 г. во всех новых разработках, где это только возможно. Подобные приказы были изданы и в ряде других Министерств. Начиная с этого времени заявки на разработку большого числа разнообразных ИС подавали НИИ и КБ всех Министерств. Каждый год число заявок увеличивалось. Так, осенью 1971 г. в Научном Центре было рассмотрено около 1000 предложений на разработку новых ИС, а возможности по созданию новых изделий не превышали 20% от числа заказов. Нужно было искать выход из тупиковой ситуации.

Анализ показал, что часто заказы на разработку ИС от предприятий одного ведомства, занимающихся созданием близкой по задачам аппаратуры, сильно отличались. Основой для них служили “традиции построения аппаратуры на предприятии”, вкусы разработчиков, образцы зарубежной техники. Военные представители твердо отстаивали позиции своих подопечных фирм.

Только скрупулезная работа специалистов предприятий, ЦБПИМСА, ДНЦ, часто с выездами в заказывающие организации для ознакомления с замыслами главных конструкторов, деталями разработки, имеющимися образцами отечественной и зарубежной техники, позволили разрубить этот гордиев узел, не допустить безудержного роста номенклатуры ИС и избежать “тирании количества”, что было не под силу нашей промышленности.

На этом этапе удалось сформулировать общий подход к параметрическим рядам ИС, которые вбирали в себя все основные схемотехнические решения, присущие данному классу ИС и технологии их изготовления. Это постепенно устроило всех. Большую роль в достижении общего согласия сыграли руководители ЦНИИ-22 и головная организация Министерства обороны, курирующая эти проблемы. Руководители этих организаций — опытные генералы Балашов  В. П., Покровский  Р. П., Сугробов  П. И., Иаловский  Е. Я. и руководимые ими офицеры — поддержали предложение Научного Центра.

Первым и показательным примером решения этих проблем подобным образом было рассмотрение задач и разработка необходимой и достаточной номенклатуры параметрических рядов подлежащих разработке и массовому производству ИС, обеспечивающих создание перспективных вычислительных комплексов: “Эльбрус” — главный конструктор Бурцев  В. С., директор ИТМ и ВТ, ЕС ЭВМ — главный конструктор Ларионов  А. М., а затем Пржиялковский  В. В., директора НИЦЭВТ, СМ ЭВМ — главный конструктор Наумов  Б. Н., директор ИНЭУМ.

Соглашение было достигнуто непросто, но оно позволило немедленно приступить к реализации этих решений на предприятиях МЭП. Позднее опыт полностью подтвердил правильность такого подхода.

Головной организацией по разработке ИС, созданию базовых технологий на новые серии ИС стали НИИМЭ и завод “Микрон”. К этой работе были подключены: Минский завод полупроводниковых приборов, будущий ПО “Интеграл”, директор П. П. Гойденко; Ленинградское объединение “Светлана” — генеральный директор И. И. Каминский; Вильнюсское КБ, позднее НИИ “Вента”, директор Д. Занявичус; Кишиневский завод “Мезон”, директор В. С. Никулин; Тбилисский НИИИ “Мион” — директор Р. И. Чиновани; Бакинское КБ и завод “Азон”, директор М. Гарибов; Фрязинский завод “Электронприбор”, директор Г. Д. Колмогоров.

Возник вопрос — зачем столько предприятий? Ответ был простой — разрабатывалось несколько наращиваемых рядов схем (в каждом из которых было не менее 50 типов ИС) по нескольким технологиям, обеспечивающим либо очень высокое быстродействие и большую потребляемую мощность на каждую схему, либо невысокое быстродействие и маленькую мощность. Были необходимы и схемы, обладающие средними параметрами. Этим задачам соответствовали разрабатываемые серии ИС 500, 100, 700, серии 155, 530, 531, 555 и некоторые другие. Прообразом для рада быстродействующих схем серии 500 была взята серия американской фирмы Motorola, а для других серий — фирмы США, Texas Instruments и др.

На примере реализации этих параметрических рядов ИС для вычислительной техники, была начата разработка основ построения рядов ИС для радиосвязи, операционных усилителей, запоминающих устройств и многих других изделий электроники, но это заняло довольно много времени у головных предприятий, ДНЦ, технического управления МЭП и Генерального заказчика.

Предварительно была решена задача разработки научно-технических основ построения комплексно-целевых программ (КЦП), которые включали в себя не только создание параметрического ряда, но и разработку базовой технологии, необходимого состава и единиц оборудования, нужных материалов, оснастки, системы параметров и т. д.

В основу разработки КЦП при, как правило, ограниченных финансовых и временных ресурсах, был положен анализ состояния и прогноз развития данного направления в стране и за рубежом, анализ заявок потребителей, необходимое обеспечение, научные и производственные мощности, инфраструктура, т. е. все необходимое для проведения работы. Сейчас это называется бизнес-планом. Фактически к 1974 г. отрасль микроэлектроники уже работала по главным направлениям своего развития, используя КЦП. Совмещение системы приборных КЦП с обеспечивающими программами (материалы, технологии, оборудование, корпуса и т. д.) позволило просчитывать затраты, мощности предприятий, подготовку новых площадей и уверенно прогнозировать объемы выпуска различных ИС исходя из потребностей страны.

В конце 1973 г. в печати появились первые сообщения о создании первых микропроцессоров — больших интегральных схем, которые выполняли функции простейших вычислительных устройств. Было понятно, что это начало нового витка микроэлектроники, вычислительной техники и приборостроения. В 1974 г. при ДНЦ под руководством Васенкова  А. А. была создана рабочая группа в составе ведущих специалистов (схемотехников, системотехников, технологов) НИИМЭ, НИИТТ, СВЦ, НИИМВ, НИИТМ, которая приступила к выработке общих взглядов на разработку отечественных микропроцессоров и подготовке технических заданий на работы по их реализации на предприятиях Научного Центра. Группа собиралась еженедельно на протяжении полутора лет, обсуждая все вопросы, которые необходимо было решить на пути к намеченной цели — созданию отечественного микропроцессора. В ее состав входили специалисты:

Продвижением работы в этом направлении постоянно интересовались руководители всех предприятий, понимая значимость этой проблемы, и помогали осуществлять намеченные планы. Особенно следует отметить Д. И. Юдицкого, под руководством которого была разработана идеология построения микропроцессоров и микроЭВМ будущей серии “Электроника-НЦ”.

В разработках БИС микропроцессоров были воплощены передовые принципы развития таких устройств, предложена микропроцессорная вычислительная система, с повышенной производительностью, гибкой, перестраиваемой системой команд и расширенными функциональными возможностями. Предложенные решения нашли воплощение в сериях микропроцессоров, разработанных в НИИТТ и НИИМЭ. В сентябре 1975 года в пионерлагере НИИТТ и Завода “Ангстрем” — “Гайдаровец” была проведена первая в СССР межотраслевая конференция по микропроцессорам, на которой собрались разработчики микропроцессоров и РЭА. Были доложены первые полученные результаты, идеология построения микропроцессоров в стране, задачи и возможности по созданию ЭВМ, заслушаны выступления разработчиков аппаратуры, их взгляды и требования. В результате были согласованы основные этапы дальнейшего развития этого направления и созданы основы для подготовки программы работ. Программа “Микропроцессор” была в значительной степени ориентирована на наиболее продвинутые направления: бортовые ЭВМ для авиации, ракетостроения, судостроения, станки с программным управлением, управление технологическим оборудованием.

В конце 1975 г. министрами МЭП и МРП Шокиным и Плешаковым был подписан совместный приказ о разработке и применении микропроцессоров в важнейшей аппаратуре.

Начиная с 1976 г. началось интенсивное использование микропроцессоров и других сложных интегральных схем в разработках важнейших наземных комплексов и бортовых систем: ракетно-космических, на спутниках серии “Космос”, противоракетной системе С-300, в авиации для самолетов, разрабатываемых в КБ Микояна, Сухого, Туполева, Яковлева, аппаратуре военно-морского флота, радиолокационных системах. Увеличение объема задач, решаемых аппаратурой, рост ее сложности, потребовали разработки аппаратурно ориентированных программ (АОП) создания именно тех ИС, которые были необходимы для разработки данной системы. Удалось подготовить и начать осуществлять такую АОП к концу 1978 года. Она позволила построить большинство основных типов средств вычислительной техники, начиная от высокопроизводительных ЭВМ вплоть до бортовых ЭВМ и микроЭВМ на приблизительно 700 типах различных простых и сложных интегральных схем. В основу АОП была положена система развивающихся серий ИС и БИС, согласованная со всеми Министерствами, предприятия которых разрабатывали радиоэлектронную аппаратуру и Министерством обороны. Проект системы комплексно-целевых программ и аппаратурно-ориентированных программ был представлен в ЦК КПСС и в Совмин СССР в 1979 г. До этого на Совете Министров СССР руководству Научного Центра неоднократно докладывались комплексно-целевые программы “Память”, “Логика”, “Микропроцессор”, общие проблемы по созданию больших интегральных схем. Так, в 1977 г. докладывалась программа по созданию полупроводниковых ЗУ. В это время завод “Ангстрем” выпускал БИС ОЗУ 4 килобита (кристалл содержал около 20000 транзисторов), которая была эквивалентна по своим функциональным возможностям двум платам размером 50 в 50 см, содержащим несколько тысяч ферритовых колец, и 250 гибридных ИС “Посол”. Когда это было продемонстрировано заместителю председателя СМ СССР Смирнову  Л. В., министрам и военным на заседании ВПК, то вместо выделенных на вопрос 15 мин. обсуждение продолжалось почти 2 часа, были приняты важные решения по поддержке развития микроэлектроники. Это был большой успех Научного Центра и Министерства Электронной промышленности.

За 13 лет, прошедших со дня основания Научного Центра, было сделано многое, и правительство высоко оценило вклад Зеленограда в развитие передовой отрасли страны. За трудовые успехи, достигнутые в деле создания отечественной микроэлектроники, Указом Президиума Верховного Совета СССР от 18 января 1971 г. Центр Микроэлектроники награжден орденом Ленина. Многие сотрудники НИИ и заводов Научного Центра были отмечены правительственными наградами. В 1969 г. Государственные премии были присуждены коллективам сотрудников НИИТТ за создание технологии гибридных схем и НИИТМ за разработку напылительных установок, в 1972 г. группе специалистов НИИТМ за разработку линии “Корунд”, НИИМЭ за разработку и производство ИС, в 1975 г. НИИМЭ за создание системы автоматизированного проектирования (САПР). Особо следует отметить присуждение Ленинской премии в 1974 г. признанным лидерам, руководителям предприятий и города: К. А. Валиеву (НИИМЭ), Г. Я. Гуськову (НИИМП), Л. Н. Ливенцеву (первому секретарю РК КПСС), А Ю. Малинину (НИИМВ), В. В. Савину (НИИТМ), внесшим большой вклад в создание Научного Центра, формирование и развитие науки и промышленности Зеленограда. Звание Героя Социалистического труда было присвоено В. С. Сергееву, рабочим Л. И. Андрееву, Н. И. Вялых. Позднее этой высокой и почетной награды были удостоены Яковлев  А. Т., Иванов  Э. Е., а заслуженный строитель нашего города А. И. Злобин стал дважды Героем Социалистического труда.

Микроэлектроника развивалась быстрыми темпами. Интересно напомнить этапы, которые прошли наука и промышленность за это время.

Это хорошо видно из таблицы “Итоги VIII и IX пятилеток и задачи на Х пятилетку в области разработки и производства БИС”, в которой в сжатой форме представлены решенные задачи и проблемы, которые надлежало решить в 1976-1980 годах.

Итоги IX и задачи Х пятилетки в области разработки и производства ИС, БИС

1966–1970 1971–1975 1976–1980
ИС малой интеграции. Разработано около 700 типономиналов (в НЦ – 393), создана техническая, технологическая база, проведены работы по схемотехническим задачам. ИС малой, средней и большой интеграции. Разработано 2676 типономиналов (в НЦ – 1024), создана научно-технологическая база по разработке, проектированию, налажено массовое производство БИС и аппаратуры на их основе (часы, калькуляторы и т. д.), исследованы пути создания изделий функциональной микроэлектроники на новых принципах. ИС, БИС, и МЭА. Намечается разработка более 3000 т/н (в НЦ – 1000), завершение создания научно-технической базы для производства БИС и МЭА, способной решать комплекс схемотехнических и технологических задач в интересах комплексной микроминиатюризации новой техники, надежности и качества. Создание АСУ, АСУТП, АСУК на базе широкой автоматизации и ЭВМ. Разработка и производство приборов и изделий функциональной микроэлектроники.
Уровень интеграции в элементах
до 100 до 20000 до 100000 и выше
Цикл проектирования (мес.) до получения первых образцов
12–24 6–12 2–6
Автоматизация процессов проектирования
Механизация и автоматизация отдельных этапов расчета ИС, проектирования топологии и изготовления фотошаблонов. Автоматизация расчета, проектирования топологии, изготовления фотошаблонов на базе больших и мини-ЭВМ, разработка математического обеспечения. Создание автоматизированных комплексных многотерминальных программно-совместимых систем и рабочих мест проектировщиков по анализу и синтезу схемотехнических и системно-технических задач проектирования, контроля электрических схем, топологии, изготовления фотошаблонов с использованием мини- и микро-ЭВМ, лазерного, электронного и рентгеновского луча с целью решения задач по качеству и надежности БИС.
Автоматизация технологических процессов
Механизированный процесс на пластинах 25–40 мм. Механизированный и автоматизированный на основных группах операций и технологических участках 40–60 мм. Автоматизированный, с применением новейших средств обработки, управления и контроля с целью получения высокого качества и надежности. Создание комплексных автоматизированных поточных производств для массового выпуска БИС на пластинах 60–100 мм и ленточном кремнии.

Несмотря на впечатляющие успехи развития науки и производства в Зеленограде, итоги IX пятилетки показали, что Научный Центр развивается все же недостаточно эффективно: ощущался большой дефицит производственных мощностей, опытные заводы зеленоградских НИИ не могли “переварить” в заданном темпе новые разработки. Они захлебывались от освоения, выпуска и поставки на важнейшие оборонные заказы новых ИС и БИС. Всего “Ангстрем” и “Микрон” выпустили в 1975 г. 18 млн. ИС, половину из них с военной приемкой. Кроме того, ИС, разработанные в НИИМЭ и НИИТТ, осваивались и выпускались на заводе “Азон” в Баку (директор М. Гарибов), “Мион” в Тбилиси (директор Р. Чиковани), КБПМ в Москве (директор Н. Амельчаков), “Вента” в Вильнюсе (директор К. Климашаускас), “Нуклон” в г. Шауляй (директор В. Баранаускас), “Экситон” в г. Павловский-Посад (директор Н. Еремеевский), “Мезон” в г. Кишиневе (директор В. Никулин), “Билур” в г. Кировабад (директор Г. Абдуллаев). Освоение новых схем шло сложно, темпы работы, принятые в Зеленограде, часто были не под силу серийным заводам, возникали конфликты, заказчики требовали все больше и больше ИС высокого качества. Так, освоенные на заводе “Мезон” ИС “Микроватт” из-за недостаточной надежности заказчик отказался ставить в аппаратуру. По требованию Военно-промышленной Комиссии при СМ СССР было принято решение о возвращении снятой с производства на заводе “Микрон” схемы и возобновление военных поставок с завода, что привело к большим осложнениям в работе предприятия.

К этому времени объем выпуска продукции по 2ГУ МЭП составлял уже около 40% от общего объема выпуска министерства, что создавало определенные сложности для устойчивости работы всего министерства, порождало “неуправляемость” ряда предприятий, особенно удаленных от Москвы. А ведь заводы и НИИ были расположены во всех республиках СССР и разбросаны по всей огромной территории РСФСР. Руководство Министерства приняло решение выделить из состава 2ГУ МЭП Научный Центр, придав ему ряд серийных заводов, НИИ и КБ, расположенных в 5 республиках, создав мощное Научно-производственное объединение. Это произошло в июле 1976 г. Генеральным директором НПО “Научный Центр” был назначен молодой, но уже опытный директор НИИ Материаловедения, д. т. н., профессор, член-корреспондент АН СССР А. Ю. Малинин.

В состав объединения вошли: 8 НИИ, 7 ОКБ, 9 опытных заводов, 8 серийных заводов, 4 филиала заводов, а также Центральная автобаза Научного Центра, Дирекция строящихся предприятий и ремонтно-строительное управление — всего 39 предприятий, в том числе 31 предприятие с правом юридического лица. В объединении работали более 80 тысяч человек, из них половина в Зеленограде. Создание объединения давало новые возможности, но значительно увеличивало обязанности. В своем выступлении на конференции в Зеленограде А. И. Шокин сформулировал задачи объединения: “Центр должен заниматься концентрацией сил, специализацией, кооперированием, объединить научные силы и мощности, определять главные удары и на них собирать силы… Большая перспектива лежит в объединении науки с производством, сокращении сроков разработки, освоении САПР, продвижении в направлении создания структуры «институт-завод»”.

Исходя из поставленных перед объединением задач, Научный Центр сосредоточил усилия на создание новых изделий, начиная с разработки новых материалов, переходу на кремниевые пластины диаметром 75-100 и 125 мм, повышении их качества, разработке и выпуску нового поколения автоматизированного оборудования (вакуумно-напылительного, плазменного, диффузионного, контрольно-измерительного), больших интегральных схем памяти, микропроцессоров, микроэлектронной бытовой аппаратуры (часов, калькуляторов, магнитофонов) и сложнейшей микроэлектронной космической и связной аппаратуры, создаваемой в том числе на новых технологических принципах изготовления (бескорпусные ИС на полиамидном носителе) в НИИМП и заводе “Компонент”.

В 1976 г. отрасль выпустила почти 300 млн. ИС, из них более 85% полупроводниковых ИС, в том числе в Научном Центре 71 млн. штук, причем уровень интеграции по объединению был значительно выше отраслевого, а на “Ангстреме” достиг 20000 транзисторов на кристалле, были переданы в торговую сеть 51 тысяча магнитофонов (завод “Элион”), 32 тысячи калькуляторов (завод “Ангстрем”). В этом же году были утверждены методики формирования планов НИОКР комплексно-целевых программ и их ведения по всему жизненному циклу разработка — производство, т. е. создана система управления наукой и производством. Практически уже с 1971 г. формирование плана НИОКР по направлению “микроэлектроника” в МЭП ежегодно осуществлялось дирекцией Научного Центра, а затем докладывалось на Коллегии Министерства. Теперь, после утверждения методик, на Научный Центр возложили управление основными программами: Микропроцессор, Память, Логика, Операция, Коммутатор, Радиосвязь.

Конечно, в реализации всех этих планов и программ основную роль играли предприятия, расположенные в Зеленограде. Так, НИИМЭ и Завод “Микрон” играли основную роль в стране в разработке и организации массового выпуска цифровых интегральных схем, быстродействующих запоминающих устройств и схем для их управления, специальных усилителей, микропроцессоров. Технология, технологические карты на процессы, методы проектирования, контроль качества распространялось на родственные предприятия отрасли. НИИ и Завод несли ответственность за уровень и качество продукции на “подшефных” предприятиях объединения — там, где выпускались ИС по документации Головного предприятия. Активно работал на предприятии отдел внедрения. “Микрон” отвечал за объемы и выполнение поставок высоконадежных ИС на важнейшие радиоэлектронные системы. Работать на предприятии было сложно, но интересно. Директор предприятия, к тому времени уже член-корреспондент Академии Наук СССР, К. А. Валиев был душой коллектива. Главный инженер — А. Р. Назарьян — великолепный технолог и организатор. Они создали работоспособную команду, обладающую мощным научным потенциалом, умением решать технические и организационные проблемы. Здесь выросли Ю. Н. Дьяков, Ю. А. Райнов, Е. С. Горнев, А. Д. Просий, Н. С. Самсонов, А. П. Голубев и многие другие. За период со дня основания предприятия более 400 сотрудников было награждено правительственными наградами, 35 стали лауреатами Государственных премий (1972, 1973, 1975, 1983, 1986, 1987 гг.).

Трудная, но интересная история у НИИТТ и завода “Ангстрем”. Созданный как институт, ответственный за разработку технологии микроэлектроники, его коллектив во главе с технологом “от бога” В. С. Сергеевым и умелым организатором и разработчиком аппаратуры — главным инженером Катманом  А. К. не могли пройти мимо создания первых ИС и активно развернули сначала разработку гибридных схем, где прошли путь от первых толстопленочных схем “Тропа” до больших гибридных ИС на керамической подложке. Накопленный опыт позволил разрабатывать и выпускать корпуса для ИС, а позднее многослойные керамические платы для специализированных ЭВМ. Здесь огромную роль сыграло руководство завода “Ангстрем” и ведущие специалисты-лидеры: директор В. П. Демин, главный инженер Бенуа  Э. Ф., Обходов  В. А., Филипенко  В. О., Ржанов  В. Г., Иванов  Э. Е., Рыженков  В. И., Баранов  В. С. и многие другие. В начале 1974 г. НИИ и завод разработали и освоили новую перспективную технологию КМОП и включились в создание калькуляторов, БИС запоминающих устройств, микропроцессоров и микроЭВМ. В разработке микропроцессоров и микроЭВМ огромную роль сыграла перешедшая в 1976 г. в НИИТТ часть коллектива СВЦ, в состав которого входили Воробьев  Н. М., Чичерин  Ю. Е., Трояновский  В. М., Дшхунян  В. Л., Попов  А. А. и другие, которые потом заявили о себе в полный голос своими научными и производственными успехами. По итогам пятилетки 1971-1975 г. 156 сотрудников предприятия были награждены правительственными наградами.

НИИМП, возглавляемый талантливым разработчиком микроэлектронной аппаратуры и организатором, героем социалистического труда, членом-корреспондентом АН СССР Г. Я. Гуськовым, создавал уникальную аппаратуру в микроэлектронном исполнении, выполненную по оригинальной технологии, которая потом была освоена на ряде предприятий нескольких оборонных Министерств. На предприятии был создан ряд технологических линеек, уникальная испытательная и измерительная база, разработаны радиомаяки, бортовая телеметрическая аппаратура, бортовые ЭВМ для разных поколений космической аппаратуры, системы спутниковой связи. СКБ при НИИМП разрабатывало специальную малогабаритную аппаратуру. Директор вместе с главным инженером М. Ф. Поликановым, опытными руководителями Гальпериным  Н. М., Сидоровым  Е. М., уделял и огромное значение воспитанию кадров. В НИИ и Заводе “Компонент” выросли А. А. Киселев, Ю. Р. Степанов, В. С. Серегин, А. И. Головин, В. Н. Филатов, С. Н. Николаенко, К. В. Былов, Е. Н. Егоров, Н. Синодкин, В. П. Лаврищев, В. И. Шимко, А. А. Ермолаев и многие другие. Владея передовой технологией, блестящими специалистами НИИМП с заводом “Компонент” постоянно привлекали внимание аппаратуростроителей всей оборонной промышленности, служили для многих предприятий эталоном в создании надежной и самой малогабаритной аппаратуры. На основе НИИМП и завода “Компонент” было создано объединение “Элас”, которое заняло в нашей стране ведущее положение в разработке космической техники и техники связи.

Важную роль во внешнем мире играло Центральное бюро применения интегральных схем (ЦБПИМС), позднее ЦКБ “Дейтон”, задачами которого были наведение “порядка” в применении ИС в аппаратуростроении, проведение технической политики в области стандартизации требований к надежности и качества, основным электрическим параметрам, устойчивости изделий при климатических и механических нагрузках, рассмотрение случаев отказов аппаратуры и ИС. На предприятиях создавались руководящие материалы по применению (РМ) и контролю правильности применения, велась база данных по ИС, аппаратуре, отказам.

ЦКБ “Дейтон” играло важную роль при подготовке как технических заданий на разработку новых ИС, так и новой аппаратуры на их основе. Фундамент этого предприятия был заложен бывшими сотрудниками КБ-1 — директором Б. В. Тарабриным и главным инженером С. В. Якубовским, зам. гл. инженера Н. А. Баркановым. Они воспитали на своем предприятии плеяду классных специалистов, сыграли огромную роль в установлении взаимопонимания между разработчиками и производителями ИС, с одной стороны, и разработчиками аппаратуры и военными заказчиками (Минобороны) с другой.

Важную и часто определяющую роль в процессе получения новых результатов в отрасли и в Научном Центре играли НИИ и заводы, которые работали на микроэлектронику, создавая научный задел, материалы, оборудование. К этой группе предприятий прежде всего относятся НИИМВ и завод “Элма”, НИИТМ и завод “Элион” и НИИФП.

Понятно, что НИИМВ и завод “Элма” — основные разработчики и изготовители материалов для микроэлектроники, полупроводниковых приборов, оптоэлектроники, лазеров, приборов ИК техники. Были организованы разработка и опытное производство для обеспечения создания новых ИС, разнообразных электронных приборов и выработки основных требований к материалам и технологии их получения. К ним относились монокристаллический кремний с возрастающим диаметром пластин (75, 100, 125, 150 мм), монокристаллы фосфида галлия, арсенида галлия, сапфира, галлий-гадолиниевого граната, монокристаллические ленты сапфира, различные пасты, высококачественные вещества и газовые смеси на их основе, заготовки для фотошаблонов. Перечисленные разработки служили основой для ускорения организации промышленного выпуска этих материалов в Минцветмете, Минхимпрома, Минлегпроме, Минстанкопроме и других ведомствах.

А. Ю. Малинин как крупный ученый и организатор науки и производства, лидер по своей природе, сумел собрать вокруг себя очень интересный и боевой коллектив, в котором выделялись будущие руководители и ученые: Ю. Н. Кузнецов, В. А. Федоров, В. И. Прилипко, Б. Г. Грибов, С. В. Петров, Л. С. Гарба, И. А. Логинов, Ю. А. Райнов, В. Е. Бейдин, Г. И. Журавлев, В. С. Крикоров, Ю. Г. Немирюк, Н. А. Абдуллин, И. В. Коробов, К. Г. Марин, АИ. Сидоров, В. Т. Хряпов, Н. И. Блецкан, Л. А. Иванютин, В. Г. Бочкарев, А. Горбачев, Ю. М. Ильин, А. В. Гигин и другие.

Важнейшую роль в разработке технологического оборудования и особенно комплексных автоматизированных линий, разнообразных установок играли НИИТМ и Завод “Элион”. С 1965 г. НИИТМ руководил крупный инженер, ученый, организатор В. В. Савин. Конечно, один институт и его завод не могли решить проблему всего комплекса технологического контрольного и измерительного испытательного оборудования для производства ИС по разнообразным технологиям. Только в одном базовом процессе производства БИС ОЗУ 4 К использовалось 109 типов основного оборудования и 210 типов вспомогательного. Естественно, НИИТМ отвечал только за определенную ему часть. К ней относились следующие типы оборудования: диффузионное, напылительное, плазменное, эпитаксиального наращивания, окислительное, ионно-химическое, магнетронного распыления, функционального контроля логических схем, БИС ЗУ и сборочное оборудование. Это были очень крупные и серьезные задачи, причем сроки разработки оборудования и его опытная эксплуатация должны были опережать начало производства ИС. Разработчики оборудования, как правило, были обречены на постоянное “опаздывание” и вызывали лавину критики на себя. Коллектив НИИТМ и завода “Элион” был крепким, работоспособным и очень гибким. Это позволяло быстро решать множество больших и мелких проблем, без которых не обходится ни одно производство. В НИИ и на заводе трудились прекрасные руководители и специалисты: Блинов  И. Г., Хачатурьян  П. Е., Крикун  В. М., Матюшенков  И. Ф., Язов  М. Г., Калмыков  Е. С., Иванов  В. И., Гревцев  Н. В., Сатаров  Г. Х., Уксусов  А. С., Богородицкий  Л. А., Попель  Л., Сорокин  А. М., Лобиков  Л. В., Васильев  В. А., Браун  Л. Ю., Завьялов  А. С., Быковский  И. П., Фомин  Г. А.

Совершенно особую роль среди зеленоградских научных предприятий играл НИИ физических проблем, задачей которого был поиск, исследование и разработка образцов изделий микроэлектроники, поиск новых направлений ее развития.

Становление и формирование НИИ протекало динамично в ходе решения постоянно возникающих актуальных новых проблем микроэлектроники. В результате за 30 лет существования института теоретиками, физиками-экспериментаторами, биологами, специалистами по различным видам технологии, схемотехниками и конструкторами выполнены обширные исследования и множество разработок: были созданы оригинальные электронные приборы, структуры, технологические процессы, заложены научные основы ряда перспективных направлений. В НИИ впервые разработаны и переданы в другие НИИ, КБ, заводы жидкокристаллические индикаторы, приборы с зарядовой связью (ПЗС), ЗУ на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), интегральные приборы (приборы для обнаружения, быстродействующие ИС на арсениде галлия, высокоэффективные светодиоды), полупроводниковые лазеры, приборы на основе Джозефсоновских переходов, сквиды, автоэмиссионные катоды, энергонезависимые запоминающие устройства. Заложены основы создания изделий на базе субмикронной технологии, нанотехнологии, молекулярной технологии, вакуумной микроэлектроники, микромеханики, использования синхротронного излучения для аналитики, прецизионного эксперимента, биосовместимых покрытий и решения задач физики твердого тела. Собирали и возглавляли в разное время этот уникальный коллектив (как его называл А. И. Шокин — “академию наук МЭП”) директора В. И. Стафеев, В. П. Лаврищев, А. А. Васенков, Н. С. Самсонов. Главными инженерами были Д. И. Юдицкий, Б. С. Борисов, С. Н. Мазуренко. В институте выросли и прошли школу крупные ученые нашей страны: Р. А. Сурис, Ахмедиев  Н. Н., Звездин  А. К., Кирова  Н. Н. Рыжий В. И., Елионский  В. М., Попков  А. Ф., Гергель  В. А., Полторацкий  Э. А., Емельянов  А. В., Рычков  Г. С., Никитин АВ., талантливые разработчики-изобретатели Махов  В. И., Банников  В. С., Петров  А. А., Корсаков  В. С., Быков  В. А., Тишин  Ю. И, Боков Ю. С., Мишачев  В. И., Трутнев  Н. Ф., Шокин  А. Н., Ракитин  В. В., Кустов  В. Л., Матвеев  В. М., Безручко  С. М., Саунин  А. С., Свидзинский  К. К., Седунов  Б. И., Нагин  А. П., Хафизов  Р.3. и многие другие.

В НИИФП подготовлено несколько десятков докторов наук, более 200 кандидатов, ежегодно публиковалось большое число научных статей, готовятся студенты на базовых кафедрах в МГИЭТ и МФТИ.

Необходимо отметить, что НИИФП стал местом рождения еще одного предприятия -специализированного вычислительного центра — СВЦ.

В 1964 г. в НИИФП собралась группа специалистов — приверженцев непозиционной системы счисления или как еще называли это направление развития вычислительной тематики -системы остаточных классов. Лидерами этого направления были: член-корр. АН Каз.ССР И. Я. Акушский, Д. И. Юдицкий, В. М. Амербаев, И. А. Большаков. Созданное ими в институте подразделение — вычислительный центр — в 1969 г. выделился в самостоятельное предприятие, в котором собрались талантливые ученые и специалисты, смело продвигающие новое направление: они начали разработку большой высокопроизводительной ЭВМ с параллельной системой вычислений. Эту работу не удалось осуществить по ряду независящих от разработчиков причин, однако были созданы несколько типов мини-ЭВМ серии “Электроника-НЦ”, которые были поставлены и долгое время работали в Центре Коммутации сообщений, в Пулковском аэропорту г. Ленинграда. В СВЦ родилась идеология отечественной системы микропроцессоров и микроЭВМ, идеи мажорирования и много других научно-технических новаций. Кроме упомянутых выше сотрудников необходимо отметить большой вклад в развитие вычислительной техники в Научном Центре  П. В. Нестерова, В. С. Бутузова, А. И. Коекина, Ю. М. Сокола, Ю. Е. Чичерина, В. Л. Дшхуняна, Н. И. Воробьева, А. А. Попова; многие из них потом работали в НИИТТ и НИИ НЦ и других предприятиях над проблемами конструирования конкурентоспособной аппаратуры и достигли больших успехов.

Отмечая предприятия, которые явились градообразующей Зеленограда, нельзя не упомянуть и НПО “Зенит”, НИИ “Пьезоэлемент” и завод “Ион”, а также созданные позднее НИИ “Субмикрон”, НИИ особо чистых материалов и ряд других, которым будут посвящены последующие воспоминания.

Вернувшись к событиям, которые последовали за организацией НПО “Научный Центр”, следует отметить, что в 1976-1977 годах начались активные работы по реализации аппаратурно-ориентированных программ. Так специалисты Научного Центра активно включились в работы, которые начала фирма Томпсон-ЦСФ с Минавиапромом. На салоне в Ле-Бурже в 1975 г. было принято решение о закупке лицензии на авионику для ТУ-154, тогда быстро завоевавшем отечественное и зарубежное пространство. Дополнительно фирма “Лукас” предложила ЭВМ для управления двигателями. Практически многомиллионный контракт был близок к подписанию, однако зам. председателя ВПК  Л. Й. Горшков попросил руководство Научного Центра ознакомиться с содержанием контракта. Специалисты выяснили, что элементная база, в том числе ИС, на которой была выполнена система, в 80 случаев из 100 выпускалась предприятиями МЭП, а по контракту ее предполагалось закупать, что составляло значительную часть суммы контракта. Кроме того, вызывали сомнение некоторые схемотехнические решения и надежность системы в целом. Включившись в эту работу, специалисты Научного Центра вместе с представителями НИИАС, НПО “Электроавтоматика” Минавиапрома практически пересмотрели содержание контракта, предложив некоторые новые технические решения с использованием отечественных ИС, более технологичные и надежные, осуществимые в более короткие сроки, нежели предполагалось по контракту. Все это уменьшило стоимость контракта на весьма существенную сумму и послужило серьезной основой для возникновения взаимопонимания и доверия при проведении ответственных совместных работ между предприятиями авиастроения и Научного Центра. Также успешно завершились работы по созданию системы С-300, бортовой аппаратуры для ТУ-160 и других бортовых и наземных авиационных систем, некоторые из них в настоящее время стали символом успехов отечественной военной авиации и систем военной техники.

Научный Центр, НИИТМ и завод “ЭЛИОН” подвергались жесткой критике за недостаточно высокую производительность труда в машиностроении, что послужило одним из поводов для развития работ по разработке микроЭВМ для станков. Эту работу курировали лично А. И. Шокин и министр Станкостроения Костоусов. Начались совместные работы предприятий Научного Центра, и ведущего станкостроительного предприятия СССР — НПО “Красный Пролетарий”. Ведущую роль в осуществлении этого замысла и реализации микроЭВМ “Электроника НЦ-31” сыграл Чичерин  Ю. Е. с большой группой специалистов НИИТТ. Новые станки со встроенными микро-ЭВМ на заводе “Элион” стали основой металлообрабатывающего комплекса — ГАП, гибкого автоматизированного производства, которое стало полигоном для обработки подобных систем и привлекло множество посетителей со всех концов страны. Работа была завершена в короткие сроки, но успеха не принесла. Многие специалисты, в том числе сотрудники НИИТМ и завода, критиковали новый ГАП справедливо. ГАП более всего подходил для массового изготовления простых однотипных механических деталей вращения на большом заводе, а не на опытном заводе “Элион”, изготавливающем огромную номенклатуру малосерийных разнотипных изделий, а ее попытались навязать всем и на все случаи жизни, что, естественно, совершенно неверно. ГАП тихо, без шума, изжил себя, не привлекая внимания посторонних, через несколько лет, хотя в этом проекте было много интересного и полезного.

В НПО “Научный Центр” к концу Х пятилетки работало уже порядка 80 тыс. человек, Зеленоград стал “меккой” для всех специалистов и ученых, кто был профессионально связан с микроэлектроникой и аппаратуростроением, его постоянно посещали высокие гости — члены правительства, ЦК КПСС, руководители Союзных республик, областей, министры и руководители предприятий. Побывали и все практически без исключения руководители стран Социалистического лагеря, члены правительств, партийное руководство. Из сохранившихся фотодокументов можно сделать интересную выставку. В Научном Центре еще в 1972 году была создана “закрытая” выставка образцов изделий, создаваемых на предприятии, интегральных схем, микроэлектронного аппаратуростроения, материалов, технологических решений, развития научных исследований. Выставка всегда вызывала повышенный интерес у посетителей. Нередко, при проведении общеминистерских семинаров, конференций, когда приезжало много “внешних” гостей, выставка расширялась экспонатами, демонстрирующими достижения предприятий, разрабатывающих СВЧ приборы, телевизионные системы, лазерную технику и многие другие компоненты, которые выпускались в МЭП. Выставка в Научном Центре послужила поводом для руководства Министерства к организации ежегодной огромной выставки в ЦНИИ “Электроника”, приуроченной ко времени проведения расширенной коллегии, на которой подводились итоги работы предприятий, главков и всего Министерства в целом. Конечно, в определенном смысле, это было парадное событие, однако оно проходило на “высокой ноте”, все тщательно готовились к нему, многие руководители крупных предприятий претендовали на выступление во время пленарного заседания, но далеко не всем предоставлялось это право. За этим тщательно следил сам министр, предоставляя возможность только особо отличившимся. Научный Центр всегда был в списке выступающих одним из первых и ему принадлежала ответственная роль в формировании на выставке раздела микроэлектроники. Выставку в ЦНИИ “Электроника”, как правило, посещали все министры оборонной отрасли и руководители крупных предприятий, министры ряда отраслей, связанных с Минэлектронпромом совместными работами, президент Академии Наук СССР, члены президиума АН СССР, видные ученые, секретари ЦК КПСС и многие другие. Руководство ВПК и Минобороны неоднократно проводило на выставке выездные заседания, где обсуждались стратегия развития некоторых направлений систем вооружения, автоматизация отраслей народного хозяйства, вопросы кооперации и взаимодействия. Руководство Научного Центра всегда принимало участие в этих событиях и наряду с Главным Техническим управлением, которое возглавлял талантливый руководитель В. М. Пролейко, проводило большую работу по их подготовке. Руководство министерства и сам министр доверяли Научному Центру эту работу. На выставке постоянно велись записи в книге посетителей, заметки, сделанные в ней, были очень интересны и поучительны.

Многое в нашей стране было под грифом “секретно”, в том числе многие работы предприятий Научного Центра, поэтому большое количество предприятий в СССР очень мало знало об имевшихся результатах. В связи с этим интересны записи в книге посетителей и на выставке достижений техники, которая работала на бывшей ВДНХ осенью 1979 г., где впервые в широком показе были представлены результаты отечественной микроэлектроники, стратегия ее развития, ближайшие и перспективные цели, разнообразные образцы продукции. Выставку посетило правительство страны и множество иностранных специалистов, а также руководителей промышленности и просто инженеров. Практически единодушное мнение сводилось к удивлению о достигнутом уровне и обиде, что нет информации, отсутствие которой мешало продвижению отечественных электронных изделий в практическое применение.

Забегая вперед, по времени, можно привести некоторые примеры высказываний ведущих, популярных американских научно-технических и экономических изданий об отечественной микроэлектронике и Зеленограде.

“В СССР создан новый город в 20 км от Москвы, находящийся в области. Зеленоград похож на американскую «Кремниевую долину» (место в Калифорнии, США, где сосредоточен наиболее крупный и мощный научно-промышленный комплекс США в области микроэлектроники, компьютеров и военной техники). Город не обозначен ни на одной советской карте. Это элитарный город, через который не проходят потоки обычного транспорта, имеющий много институтов. Этот город является сердцем советской электронной промышленности и центром научно-исследовательских работ в этой области. Одной из функций Зеленограда является разработка микроэлектронных интегральных схем, аналогичных полученным законным и незаконным путем из американских источников. Специалисты США считают, что СССР, использованием ее для автоматизации: в системах управления производством, технологиями, процессами, в обучении и проектировании.”

Состоялось обсуждение этой проблемы в ИТМ и ВТ Минрадиопрома, в котором приняли участие ответственные за решение этих проблем секретарь ЦК КПСС Рябов  Я. П., ответственные работники оборонного отдела, руководители ВПК, министры, начальники главных управлений, директора крупных предприятий, ведущие разработчики. От МЭП были Шокин  А. И., Колесников  В. Г., Пролейко  В. М., Васенков  А. А. С докладами выступали генеральные конструктора: системы “Эльбрус” (Рябов Г. Г.), ЕС ЭВМ (Пржиялковский В. В.), СМ ЭВМ (Наумов Б. Н.) и Научный центр (Васенков А. А.). Было отмечено, что работы ведутся с задержкой от намеченных сроков, сдерживаются из-за недостаточности мощностей инфраструктуры, науки и промышленности, привлеченной к этой работе. Был затронут вопрос о необходимости развития возможностей микроэлектроники и концентрации сил в Зеленограде. К концу 1977 г. руководством Научного центра министру были подготовлены предложения о мерах по развитию разработки и производства сверхбольших интегральных схем в стране, в которых были намечены рубежи по разработке и производству новых поколений СБИС, материалов, оборудования, систем САПР как в МЭП, так и в других министерствах, ответственных за создание различных материалов (Минхимпром, Минцветмет, Минчермет и т. д.), возложив на них полную ответственность за выполнение конкретных работ. Предлагалось построить в Зеленограде в 1975-1985 гг. ряд ?НИИ, ОКБ и заводов, реконструировать действующие предприятия, расширить социальное строительство для города. Практически, это были предложения по будущему Центру информатики и электроники, которые попытались осуществить через 12 лет — в начале 90-х годов. Тогда предложения были отклонены, в основном по настоянию руководства Москвы из-за приближающейся Олимпиады-80, но время было упущено. Именно в 1978-80 годах отечественная микроэлектроника, и особенно усилиями предприятий Зеленограда, была очень близка по своим возможностям и полученным результатам к уровню, имевшемуся в США. По основным направлениям разработок это отставание было 0,5-1,5 года, по выпуску опытных партий — 1,5-2 года, труднее было с массовым производством, оно отставало больше, в основном, из-за отсутствия необходимого технологического оборудования, подготовленных высококвалифицированных кадров, удаленности многих заводов от центра страны и рядом других причин. Нагрузка на предприятия НПО “Научный Центр” в Х пятилетке была огромная. Они не только отвечали за важнейшие направления развития микроэлектроники, но и были донорами для своих подшефных КБ и заводов, оказывали научную, техническую, технологическую помощь, передавали оборудование, изготавливали оснастку, проводили установочные партии, участвовали в работах по повышению процента выхода и надежности. А. Ю. Малинин, как директор объединения “Научный Центр”, член коллегии МЭП, ответственный за все, что происходило в объединении, постоянно был в напряжении, отрицательных эмоций было очень много, и здоровье его подвело. Это уже было заметно, особенно после смерти В. В. Савина в июле 1978 г. Через год А. Ю. Малинина не стало, это было огромное потрясение как для коллектива НПО “Научный Центр”, так и для министерства и многих наших коллег. Однако жизнь продолжалась, интенсивность работы возрастала. Вскоре появились первые образцы однокристального микропроцессора и одноплатной микроЭВМ на базе этого микропроцессора (НИИТТ), начали изготавливать БИС на пластинах диаметром 125 мм, готовились к 150 мм. По просьбе стран-членов СЭВ была создана рабочая группа по развитию микроэлектроники и вычислительной техники в странах содружества, которая сыграла важную роль в тот период времени в развитии специализации предприятий, разработчиков и производителей изделий микроэлектроники и средств вычислительной техники всего СЭВ. Осенью 1980 г. в Таллинне прошла большая конференция по развитию вычислительной техники и систем автоматизации для необоронных возможно, сэкономил около 100 млрд. долларов на научно-исследовательские работы по современным интегральным схемам, благодаря такому использованию образцов ИС из США. Это помогло СССР сократить отставание от США до 3 лет, а когда-то американцы шли с опережением в 10 лет“.

”Каковы бы ни были результаты проведенных исследований советских интегральных схем, они подтверждают мнение о необходимости ограничения передачи американской электронной технологии Советскому Союзу. Приобретение Советским Союзом этой технологии и лучшего современного технологического оборудования наряду с накопленным опытом по созданию схем привело к тому, что в области перспективной электронной техники разрыв между Западными странами и Советским Союзом сократился с 10 лет (в 70-е годы) до, вероятно, двух лет“.

”Запад беспокоит способность СССР идти в ногу с современным уровнем развития интегральных схем. СССР создал целый ряд институтов и заводов, специализирующихся в военной электронике в Зеленограде, городе под Москвой, настолько секретном, что там запрещается пребывание иностранцев, а русским нужно специальное разрешение. Здесь новейшие схемы, заимствованные с Запада, тщательно исследуются, копируются и воспроизводятся. Даже если они и не копируются, то дают возможность русским ученым взглянуть на “Ноу-хау” разработок Запада“.

”Советская микроэлектронная промышленность способна производить 64 К динамические ОЗУ, судя по экспонатам, представленным на ВДНХ… В недавних заявлениях Пентагона указывается, что Советский Союз приобрел, по крайней мере, достаточно технологического опыта, чтобы изготавливать микропроцессоры типа 8080 и кристаллы 16К ОЗУ.

Московские экспонаты демонстрируют, что советские инженеры достаточно компетентны, чтобы освоить любую из основных технологий изготовления ИС: И2И, ЭСЛ, nМОП, kМОП, но нигде не упоминается, находятся эти изделия в массовом производстве или нет“.

Учитывая, что проблемы копирования образцов иностранной техники, в том числе ИС, относятся к сугубо техническим вопросам и носят политический характер, касаться их в предлагаемом материале нет смысла. По поручению ЦК КПСС и указанию Председателя Комиссии Президиума Совета Министров СССР по военно-промышленным вопросам Л. В. Смирнова Минэлектронпрому и другим оборонным отраслям совместно с Минобороны было поручено провести в Научном Центре в сентябре 1977 г. межотраслевое совещание по обсуждению вопросов по разработке и применению микропроцессорных интегральных схем и унификации вычислительных средств на их основе.

В совещании приняли участие все основные министерства в лице заместителей министров, главных конструкторов, руководителей крупных предприятий, ответственных работников ЦК КПСС и СМ СССР. Была отмечена огромная роль Научного Центра по развитию микроэлектроники в стране, в особенности полупроводниковых ЗУ, микропроцессоров, значение их широкого применения в важнейших системах, одобрена концепция программного планирования, которая внесла ясность и прогнозируемость долгосрочных путей развития микроэлектроники, и уверенность в перспективах построения важнейших систем и комплексов. Однако было отмечено, что аппаратуростроители мало принимают участие в проектировании БИС, которые по своей сложности и числу элементов на кристалле уже носят признаки крупных частей аппаратуры и требуют использования универсальных схемо- и системотехнических решений.

Несколько позже состоялось обсуждение проблемы. Руководство страны было обеспокоено состоянием с разработкой и производством вычислительной техники и отраслей промышленности, для которых были наконец открыты новые возможности по использованию микроэлектроники и вычислительной техники. Участники разъехались, увозя с собой большой оптимизм, понимание стратегии развития и тех возможностей, которые им представлялись, в том числе, со стороны МЭП.

В конце 70-х годов производство различных ИС было широко развернуто по всей стране и выпущено более 700 млн. ИС. Это вселило надежду, что при взятых темпах развития отрасли можно в ближайшее время достичь зримых результатов во многих отраслях промышленности.

Этому способствовала Сформулированная в 1977 г. стратегия развития НПО в виде трехуровневой структуры: головные НИИ и заводы Зеленограда (НИИ МЭ и завод Микрон, НИИ ТТ и завод Ангстрем) разрабатывают новейшие технологии и изделия предельной сложности; освоенная продукция переходит на базовые заводы — “Экситон”, “Вента”, “Мезон”. Базовые заводы обеспечивают освоение серийного производства на подшефных заводах, которым суждено обеспечивать выпуск схем в течение всего времени существования спроса на эти изделия (а это не менее 10-15 лет). Разработки НИИ МЭ интенсивно двинулись на Юг и Северо-Запад, разработки НИИ ТТ — в Павловский Посад и Кировобад (теперь Гянджа). Оборудование и разработки НИИ ТМ осваивались вне НПО, на предприятиях 6 ГУ МЭП — в Калининграде, Луганске, Саратове. Коллективы предприятий Зеленограда не подозревали, что потом это время назовут “застоем”.

На заводе “Ангстрем” и в НИИ ТТ под руководством Иванова  Э. Е. шла переориентация разработок и производства с гибридной технологии на “монолитную”. СБИС ДОЗУ 4 Кбит, затем 16 К, выпускаемые на заводе “Ангстрем”, привели к ликвидации ферритовых ЗУ, что требовало большой работы не только на заводе, но и вне его.

На заводе “Микрон” под руководством зам. директора по качеству Дьякова  Ю. Н. шло освоение ИС и БИС нового уровня надежности — с приемкой “7” и “9”.

Стремительный рост объемов производства интегральных схем, повышение степени их интеграции обострило проблему качества и количества кремниевых пластин, выпускаемых на заводе “Элма”. В 1979 г. директором завода “Элма” назначается Дьяков  Ю. Н., который в кратчайшие сроки организовал производство пластин по техническим условиям, разработанным совместными усилиями технологов “Элмы”, “Ангстрема”, “Микрона”. Была разработана программа экономии кремния. Выход годных пластин, доходящих до измерений, выход годных изделий на пластине на полупроводниковых заводах заметно выросли, потребность в пластинах стабилизировалась.

В 1981 г. генеральным директором НПО “Научный Центр” был назначен Иванов  Э. Е., а Дьяков Ю. Н. — первым заместителем генерального директора — главным инженером объединения.

Несмотря на высокие темпы роста объемов производства, продукции, выпускаемой предприятиями НПО, не хватало. Еженедельно на заседании Коллегии МЭП генеральный директор НПО докладывал о ходе поставок для важнейших систем. Эти поставки организовывал производственно — диспетчерский отдел НПО, который последовательно возглавляли талантливые организаторы производства Мамедов  В. С., Полатайко  Б. И., Мигунов  Ю. Н.

Еще с 1971 г. вошло в практику формирование в НПО “Научный Центр” плана НИОКР и плана производства по микроэлектронике по всем НИИ и заводам МЭП на следующий год.

Вычислительный центр объединения вырос из вычислительного центра НИИ ФП, созданного еще в 1968 г. (первый руководитель профессор Алескеров  С. А.). БЭСМ-4, М-220, М-222 решали научные и производственные задачи. С 1971 г. отрабатывалась система оперативного приема и передачи данных по телеграфным и коммутируемым телефонным каналам. Создание в 1976 г. в Объединении централизованной системы планирования и снабжения всех предприятий потребовало адекватного развития вычислительного центра.

Вычислительный центр НПО (Нестеров П. В., Коломыц  В. Т., Лукашов  В. Е., Ненашев  В. И.) работал в режиме оперативного сбора данных со всех заводов объединения. Информация принималась по коммутируемым телефонным каналам, обрабатывалась, отчеты о поставках направлялись в ЦНИИ “Электроника”. В круглосуточном режиме работала двухмашинная система на базе ЕС-1055 с общим полем дисковой памяти. Поддерживалась уникальная база данных по всем потребителям продукции НПО. Велись расчеты планов производства, планов материально-технического обеспечения, хода их исполнения.

Рост степени интеграции, появление заказных и полузаказных СБИС — все это требовало изменять методы управления разработками: комплексно-целевые программы в 1981 г. были заменены на аппаратурно-ориентированные, и наконец, к середине 80-х годов, “Программой разработки вооружения и военной техники”.

Еще в 1976 г., после перевода основной массы разработчиков из СВЦ в НИИ ТТ, в объединении начались работы по разработке и производству микроэлектронной аппаратуры как народно-хозяйственной так и специальной. К 1981 г. микро-ЭВМ “Электроника — НЦ” были применены Минприбором в системе числового программного управления 2У32, а ЧПУ разработки НИИТТ “Электроника НЦ-31” заводом “Красный Пролетарий” в станках 16К20. В 1981 г. новому руководству объединения пришлось столкнуться с проблемой качества этих изделий, которая была вызвана как вторжением микроэлектроники в непознанные области (станки), так и извечным стремлением спрятать свои недоработки за недоработками смежника (2У32). Специалисты НИИ ТТ и “Ангстрема” снимали текущие разногласия, а стратегическая задача обеспечения качества и серийного производства аппаратуры могла быть решена только на производствах качественно нового уровня — принимается решение о создании заводов “Квант” и “Элакс”. Одновременно шло формирование головного научного коллектива по микроэлектронной аппаратуре — НИИ НЦ, куда в 1984 г. вошли подразделения-разработчики из НИИ ТТ, НИИ МВ, НИИ МП.

В 1987 г. Иванов Э. Е. становится заместителем министра электронной промышленности, Дьяков  Ю. Н. — генеральным директором объединения. НПО “Научный Центр” — головной исполнитель в МЭП Постановления Правительства по выпуску к 1990 г. 500 тысяч персональных и школьных ЭВМ, еще столько же должен выпустить Минрадиопром, 90% комплектации для которых также выпускают предприятия объединения. НПО “Научный Центр” свою задачу выполнил. 300 тысяч УК-НЦ поставлено в школы, 200 тысяч ДВК продлили жизнь производственным системам; построенным на мини-ЭВМ СМ-3, СМ-4, Электроника-60, Электроника-125, Электроника-79, которые использовались также во многих высших и средних учебных заведениях.

Массовый выпуск компьютеров освоили заводы “Квант”, “Экситон”, СЭМЗ. Завод “Элакс” обеспечивал их накопителями на гибких магнитных дисках, узлы и блоки (мониторы, блоки питания, клавиатуру, корпусные детали) поставляли более 10 заводов МЭП. Минрадиопром для решения аналогичной задачи начал строить гигантский завод с замкнутым производственным циклом в г. Кишиневе, который так и не был достроен. Впрочем, в “новом” Зеленограде есть свой памятник гигантомании.

Наступил 1991 год и вместе с ним обвал всех рынков сбыта предприятий НПО: рынка СЭВ, рынка оборонных предприятий, рынка приборостроения и станкостроения. НПО был преобразован в “концерн” без каких бы то ни было рычагов управления. Но осталась ответственность за судьбу предприятий и директора по-прежнему собирались на свой Совет для выработки стратегии выживания. Правительство Москвы и лично Ю. М. Лужков оказывают решающую поддержку как предприятиям Электронной промышленности г. Зеленограда, так и административному округу г. Зеленоград:

1. В 1992 г. предприятиям города из средств Москвы предоставлены кредиты под 10% годовых для пополнения оборотных средств на сумму 803 млн. руб., а также 1080 млн. руб. для конверсии оборонных производств под 3% годовых.

2. В 1996 г. Правительство Москвы предоставило предприятиям г. Зеленограда отсрочку по платежам в бюджет на сумму 1,5 млрд. руб., сняты пени по платежам за электроэнергию на сумму 20 млрд. руб.

3. В 1996 г. по линии Фонда занятости выделено 8,5 млрд. руб. для создания новых рабочих мест.

4. В 1995 г. благодаря решающей поддержке Мэра Москвы Правительство РФ своим постановлением от 3 февраля 1995 г. № 108 выделило 60 млрд. руб. для возмещения задолженности предприятий г. Зеленограда по платежам за энергоносители. Предприятия г. Зеленограда работают без отключений энергоносителей, несмотря на большую задолженность по платежам за электроэнергию, тепло и воду.

В 1993 г. Объединение выступило инициатором создания в городе Отделения микроэлектроники и информатики Международной академии информатизации, президентом Отделения был избран доктор технических наук, профессор, академик Дьяков  Ю. Н. В этом же году проводится Первая международная научно-техническая конференция по микроэлектронике и информатике. В работе конференции приняло участие около 300 человек из различных регионов России, СНГ и зарубежных стран. Участниками конференции были руководители институтов, научные работники, конструктора, технологи, аспиранты и инженеры, а также ветераны микроэлектронной отрасли. Всего на пленарном заседании и восьми секциях заслушано 110 докладов.

Состоявшаяся конференция имела целью обсуждение проблем взаимосвязей микроэлектроники и информатики, рассмотрение путей развития высоких технологий в сложившихся непростых условиях экономического спада в России и нарушенной кооперации со странами СНГ, ознакомление с новыми научными результатами и разработками, а также установление творческих и деловых отношений между участниками конференции.

23-24 ноября 1995 года в концерне “Научный центр” г. Зеленограда состоялась Вторая международная научно-техническая конференция “Микроэлектроника и информатика”. На конференции присутствовали около 300 человек из различных регионов России и некоторых государств СНГ. Состоялись два пленарных и 13 секционных заседаний, на которых были прочитаны 91 доклад и представлены 18 стендовых докладов. Тематика пленарных докладов охватывала широкие обобщения по анализу состояния и тенденциям развития микроэлектроники и отдельным направлениям информатики. Секционные доклады преимущественно касались конкретных результатов исследований и разработок интегральных схем, радиоэлектронной аппаратуры, технологии, автоматизации проектирования, материаловедения, метрологии и вопросов предпринимательства в микроэлектронной отрасли. Доклад проф. Сретенского  В. Н. был посвящен 100-летию радио, т. к. 1995 год объявлен ЮНЕСКО Годом радио. Тем самым был признан приоритет русского ученого и изобретателя А. С. Попова в создании “беспроволочного телеграфа” — первого в мире радиотехнического устройства передачи и приема информации.

Важнейшее событие 1997 года — запуск на заводе Микрон производственной линии по выпуску СБИС с проектными нормами 0,8 мкм, в ноябре получены первые изделия. Это событие выводит российскую микроэлектронику на качественно новую ступень — стало доступно участие в рынке интегральных схем, который равен 90% мирового рынка.

Третья конференция “Микроэлектроника и информатика” (11-12 ноября 1997 г.) собрала более 200 участников из многих городов России, а также из Канады, Германии, Армении, Белоруссии. Программа конференции проходила по 10 секциям, на которых было прочитано 176 докладов. Конференция показала готовность ученых и технологов к освоению технологии 0,5 мкм, обсудила проекты систем, для реализации которых необходимы СБИС уровня 0,8 мкм, сегодня доступные заводу “Микрон”. ?

Развитие Зеленоградской микроэлектроники на ближайшую перспективу определило Постановление правительства Москвы от 5 августа 1997 года № 583 “О создании в Москве территориально-промышленной зоны с особым статусом на базе предприятий электронной промышленности г. Зеленограда” и одобренная этим Постановлением целевая программа “Электронная промышленность Москвы — России XXI века”.

В мае 1997 года образовано открытое акционерное общество ОАО”Концерн “Научный центр”. Мы это рассматриваем не только как возрождение в условиях акционирования, разукрупнения и конверсии “Научного центра”, но и как создание вертикально интегрированного стратегического партнера для микроэлектронных предприятий Зеленограда, обеспечивающего выпуск конечной продукции (аппаратуры, систем), через которого загружаются микроэлектронные производства и который в состоянии аккумулировать необходимые объемы инвестиций для развития микроэлектроники. Предприятия, вошедшие в Концерн и НИИ НЦ, развивались в 1997 достаточно успешно: в целом объем производства возрос в 1,5 раза по сравнению с 1996 г. Объем производства на заводе “Элакс” возрос в 7 раз, на заводе “Квант” — в 2 раза. Наш стратегический партнер АФК “Система” и мы видим большую перспективу в нашем выборе.

Статья опубликована 04.12.2005 г.

Проект Эдуарда Пройдакова
© Совет Виртуального компьютерного музея, 1997 — 2017