Катман Александр Константинович
Малашевич Б.
Родился 20.03.1926 в г. Луга Ленинградской обл.
Видный деятель отечественной электроники и микроэлектроники, сыгравший огромную роль в создании и развитии принципиально новых технологий и конструкций компонентов электронной аппаратуры: печатного монтажа, микромодулей, микроэлектроники и спецстойкой микроэлектроники. Их широкое внедрение определило зарождение и развитие новых поколений отечественной электроники различного применения, в т. ч. сложнейших радиоэлектронных систем оборонного назначения. Организатор науки и производства в отечественной микроэлектронике.
В 1943 г. окончил Кузнецкий металлургический техникум, а в 1950 г. — Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина).
В 1951-1963 работал в КБ №1 (Москва) в должностях: инженер, ст. инженер, начальник лаборатории, зам. главного конструктора. Разрабатывал принципы конструирования и технологии производства электронной аппаратуры для ПВО и ПРО (печатные схемы, микромодули и ГИС – гибридные интегральные схемы). Участвовал в организации серийного производства разработанной электронной аппаратуры на предприятиях оборонной промышленности.
Основатель НИИ точной технологии (НИИТТ) и завода «Ангстрем» в Зеленограде, в 1963 – 1975 гг. – зам. директора по научной работе – главный инженер НИИТТ. В этот период под его научным руководством институтом разработаны и освоены в промышленных масштабах 15 серий ГИС. Первая из них, серия «Тропа», созданная по гибридной толстоплёночной технологии, соответствовала современному ей мировому уровню. Массовое производство ГИС обеспечило уменьшение габаритов и повышение быстродействия систем управления и вычислительной техники. Институтом создан первые отечественный МОП-транзистор (1966), матрицы памяти, КМОП ИС (1967), микрокалькулятор (1973), микропроцессор (1979).
В 1975 переведён в НИИ «Сапфир» с задачей профилирования тематики института на разработку быстродействующих БИС и СБИС, устойчивых к спецвоздействиям. Благодаря усилиям А.К. Катмана на предприятии появилось новое перспективное направление — технология КМОП КНС микросхем, которая обеспечила институту перспективы и стабильность на долгие годы, превратившись впоследствии в технологию федерального уровня, определяющую безопасность страны. Он уделял много внимания процессу модернизации технологического процесса производства БИС КМОП КНС. Были разработаны и внедрены специальные процессы ионно-плазменного и плазмо-химического травления, эффективные литографические операции, что позволило получить уникальные для своего времени достижения в топологических размерах элементов (субмикронный диапазон) и разработать интегральные схемы с параметрами, соответствующими мировому уровню, прежде всего по основному параметру — показателям спецстойкости.
Разработанные и внедрённые в производство специализированные микросхемы, изготовленные по КМОП КНС технологии, обеспечили современной электронной базой аппаратуру искусственных спутников Земли, космических кораблей и спутников связи, а также систем управления ракетно-космических объектов военной техники. Под его руководством и при участии разработаны и внедрены в производство два 4- и 16-разрядных микропроцессорных комплекта БИС КМОП КНС, применённых при создании систем управления комплексов ракетно-космических систем.
В результате в 1975-1991 институт обеспечил разработку и серийное производство комплекта микросхем на основе структур КНС (серии Б1825 и Б1620), устойчивых к спецвоздействиям.
А.К. Катман лауреат Государственной премии СССР (1972).
Награждён орденами Трудового Красного Знамени, «Знак Почёта». Знаками Почётный радист СССР. Почётный работник электронной промышленности СССР. Заслуженный ветеран КБ-1, НИИТТ, НИИ «Сапфир».Помещена в музей с разрешения автора 19 марта 2021
