NAND flash
- NAND-флэш, флэш-память со структурой типа NAND
#
строится на транзисторах с плавающим затвором по схеме, напоминающей логический вентиль NAND; несколько транзисторных ячеек соединяются последовательно в группу (столбец), а затем такие группы при помощи дополнительных транзисторов соединяются в матрицу типа NOR. Несмотря на использование дополнительных транзисторов, такая трёхмерная структура отличается повышенной плотностью и ёмкостью памяти кристалла по сравнению с NOR-флэш (NOR flash) (на каждом пересечении линий матрицы находится не одна транзисторная ячейка, а целый столбец), уступает NOR-флэш по быстродействию при считывании (так как приходится считывать целиком сектор длиной от сотен до тысяч битов), но быстрее производит операции стирания сектора и записи, эта память дешевле и обычно сохраняет работоспособность даже при наличии некоторого числа дефектов благодаря схеме защиты от одиночных ошибок. NAND-флэш – основа сменных устройств USB-памяти, известных как USB flash drive, а также изготавливаемых сейчас твёрдотельных накопителей и карт памяти большинства распространённых форматов. Этот тип флэш-памяти допускает порядка 10 млн операций стирания и записи данных на ячейку.
Связные термины
BL, flash memory, memory cell, NOR flash, tunnel injection, WL
