feature size
- размер элемента [ИС]; проектная норма, технологическая норма при производстве ИС
#
определяется как минимальный размер транзистора, ширины зазора между элементами (линиями) или линии соединения по координате x или y. С каждым поколением уменьшается с соответствующим увеличением степени интеграции микросхем, так, если в 1971 г. размер активного элемента составлял 10 мкм, то в 2001-м он составил 0,18 мкм, а в 2006-м – 90 нм; в 2009 г. корпорация Intel освоила 32-нм технологический процесс, а исследовательский центр IMEC представил 22-нм память SRAM, изготовленную с применением EUV-литографии. В конце 2011 г. в лабораториях Intel была освоена 14-нм технология, которая используется на новом производственном предприятии компании. С 2018-го года на фабриках тайваньской компании TSMC внедрена технологическая норма 7 нм. Поскольку количество транзисторов на квадратный миллиметр кремниевой подложки определяется площадью поверхности транзистора, плотность транзисторов увеличивается квадратично с линейным уменьшением размера элемента. Уменьшение проектных норм ИС позволяет повысить производительность компьютеров.
Связные термины
chip density, design rules, EUV lithography, fabrication technology, Moore's Law, nanometer, nanotechnology, semiconductor process, submicron technology, technology node
